Samsung ha prodotto i primi sample di memoria DDR3 RDIMM da 32 GB. Per realizzare un modulo l'azienda coreana ha usato 36 chip DRAM dual-die da 4 Gb prodotti a 40 nanometri. La frequenza raggiunta è di 1066 MHz e la tensione operativa è di 1,35 volt.
Queste memorie sono rivolte al mondo server. I server 2-way potranno così integrare fino a 384 GB di RAM, mentre quelli 4-way un massimo di 2 terabyte. La produzione in volumi inizierà nel corso di aprile.