Tramite un comunicato stampa, Micron ha annunciato di aver avviato la produzione in serie della prima NAND a 232 layer al mondo, in grado di offrire la più alta densità areale del settore per una maggiore capacità ed efficienza energetica rispetto alle precedenti generazioni NAND di Micron.

Il nuovo nodo tecnologico ha consentito di raggiungere la più elevata velocità di NAND I/O del settore, pari a 2,4 GB/s (oltre il 50% in più rispetto all’interfaccia più veloce abilitata sul nodo a 176 layer di Micron), per soddisfare le esigenze di bassa latenza e l’alto rendimento dei carichi di lavoro incentrati sui dati, tra cui l’intelligenza artificiale e l’apprendimento automatico, i database non strutturati, l’analisi in tempo reale e il cloud computing. La NAND a 232 layer di Micron offre inoltre una larghezza di banda in scrittura superiore del 100% e una larghezza di banda in lettura superiore di oltre il 75% per matrice rispetto alla generazione precedente.

Inoltre, la NAND a 232 layer introduce la prima NAND TLC in serie a sei piani al mondo, struttura che garantisce un minor numero di collisioni tra i comandi di scrittura e lettura e migliora la qualità del servizio a livello di sistema. La NAND a 232 layer di Micron è la prima in produzione ad abilitare NV-LPDDR4, un’interfaccia a bassa tensione in grado di offrire un risparmio di trasferimento per bit di oltre il 30% rispetto alle interfacce I/O precedenti.

Di conseguenza, le soluzioni NAND a 232 layer offrono un supporto ideale per le applicazioni mobili e le implementazioni nei data center e nell’intelligent edge che devono bilanciare prestazioni migliori e bassi consumi. L’interfaccia è anche retrocompatibile per supportare controllori e sistemi legacy. Il fattore di forma compatto della NAND a 232 layer offre ai clienti flessibilità nei loro design, consentendo al contempo la più alta densità TLC per millimetro quadrato mai prodotta (con 14,6 Gb/mm²).

Scott DeBoer, vicepresidente esecutivo della divisione Technology and Products di Micron, ha dichiarato che:

La NAND a 232 layer di Micron rappresenta una svolta per l’innovazione dell’archiviazione, in quanto è la prima prova della capacità di espandere la NAND 3D a più di 200 strati in produzione. Questa tecnologia rivoluzionaria ha richiesto un’ampia innovazione, tra cui capacità di processo avanzate per creare strutture ad alto rapporto d’aspetto, nuovi materiali e miglioramenti di design all’avanguardia che si basano sulla nostra tecnologia NAND a 176 layer, leader del mercato.

La NAND a 232 strati di Micron è ora in produzione in serie nella fabbrica dell’azienda a Singapore. Inizialmente viene spedita ai clienti sotto forma di componenti e tramite la sua linea di prodotti consumer Crucial SSD. Nel corso delle prossime settimane saranno diffuse ulteriori informazioni inerenti a prodotti e disponibilità.