Everspin Technologies ha annunciato la commercializzazione della Spin-Torque Magnetoresistive RAM (ST-MRAM), un nuovo tipo di memoria non volatile a bassa latenza che potrebbe offrire prestazioni 500 volte maggiori rispetto alla memoria NAND Flash usata negli SSD.
"È la prima memoria a semiconduttore che combina la velocità e la longevità di una DRAM con una Flash non volatile. Clienti selezionati stanno valutando i sample della nostra soluzione", ha dichiarato l'azienda. Tra questi sappiamo che c'è Buffalo, che a maggio ha mostrato un prototipo di SSD con 4 GB di Flash e 8 MB di cache MRAM. La distribuzione in volumi sarà verosimilmente avviata il prossimo anno, quando saranno comunicati ulteriori dettagli.
Un'area d'uso iniziale per questo tipo di memoria è l'archiviazione cloud, dove le tecnologie di memoria esistenti faticano a fornire il giusto bilanciamento tra prestazioni, consumi e stabilità scalando verso processi con geometrie più piccole. Per vederla in ambito consumer forse bisognerà attendere un po' di più, in quanto il costo di questa memoria è ancora elevato, circa 50 volte quello di una memoria NAND Flash.
La tecnologia proprietaria Spin-Torque di Everspin usa una corrente con spin polarizzato per lo switching. I dati sono archiviati come stati magnetici anziché come carica elettrica, offrendo un bit di memoria non volatile che non soffre di usura o problemi di ritenzione dei dati associati alla tecnologia Flash.
Die MRAM
La ST-MRAM usa meno energia di una NAND Flash per le scritture, inoltre le celle scritte non hanno bisogno di essere aggiornate (refresh). La MRAM mantiene i dati se si toglie l'alimentazione e non consuma energia per conservarli durante l'attività del sistema.
Questo si traduce ad esempio in consumi di 80 mW per una NAND da 64 Gb, contro i 400 mWatt di una MRAM da 1 Gb. In poche parole abbiamo un consumo 5 volte maggiore, ma prestazioni 500 volte più alte. Everspin parla infatti di 400 mila IOPS con scritture 4KB, anziché le 800 assicurate dalla NAND Flash.
Come un modulo DDR3...
La ST-MRAM EMD3D064M da 64 Mb (8 MB) è funzionalmente compatibile con lo standard industriale JEDEC per l'interfaccia DDR3, che fornisce fino a 1600 milioni di trasferimenti al secondo per I/O, che si traduce in un bandwidth di memoria a 3.2 GB/s con una latenza nell'ordine dei nanosecondi.
Il prodotto è offerto in un package industriale WBGA, allineato con lo standard DDR3. La ST-MRAM di Everspin è prodotta sulla linea a 200 mm di Chandler, Arizona, ma l'azienda sta collaborando con altre realtà per avviare la produzione su wafer a 300 mm.