Globalfoundries, produttore di chip per conto terzi e partner di AMD nella produzione delle ultime GPU Radeon, ha annunciato il nuovo processo produttivo a 7 nanometri FinFET.
L'azienda ha deciso saltare il processo a 10 nanometri, investendo risorse umane ed economiche nella produzione a 7 nanometri.
La scelta è stata dettata dai miglioramenti prestazionali e di consumi solo marginali - rispetto ai 14/16 nanometri FinFET - osservati nelle fasi di ricerca e sviluppo con i 10 nanometri FinFET. I clienti di Globalfoundries potranno iniziare a progettare chip a 7 nanometri dalla seconda metà del 2017, con un primo approccio alla produzione (risk production) all'inizio del 2018.
La fonderia, nelle mani del governo di Abu Dhabi, promette che grazie al nuovo processo sarà in grado di fornire il doppio della densità e il 30% di prestazioni in più (o il 60% di consumi in meno a parità di condizioni) rispetto a quanto possibile con gli attuali processi a 16/14nm FinFET.
"La piattaforma è basata sull'architettura di transistor FinFET e litografia ottica, con compatibilità EUV nei livelli chiave. Questo approccio accelererà l'incremento della produzione grazie alla possibilità di riusare molti macchinari e processi applicati alla tecnologia a 14 FinFET, che attualmente è prodotta in volumi nella Fab 8 della contea di Saratoga, New York", si legge in una nota.
Globalfoundries ha intenzione d'investire di diversi miliardi nella Fab 8 per favorire lo sviluppo e la produzione a 7nm FinFET. Inoltre nel centro di Albany (New York), l'azienda sta lavorando anche sul processo a 5 nanometri con litografia EUV.
Lisa Su, CEO di AMD, ha espresso apprezzamento per la scelta del partner, sottolineando che l'azienda di Sunnyvale è pronta a usare il processo produttivo a 7 nanometri nei prossimi anni per realizzare prodotti migliori.
Secondo Gary Patton, CTO di Globalfoundries, i 7 nanometri FinFET rappresentano un die shrink del 30% del processo a 14 nanometri. Il dirigente ha inoltre stimato che i 7 nanometri FinFET potrebbero favorire la creazione di chip per smartphone con frequenza superiore ai 3,5 GHz.
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