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I 3nm GAAFET di Samsung: la soluzione per i transistor del futuro è MBCFET

Settimana scorsa vi abbiamo parlato dei piani di Samsung per l’introduzione del nuovo nodo a 3nm prevista inizialmente per il 2021, ma slittata al 2022.

Abbiamo già riportato come Samsung intenda affrontare questa nuova corsa alla miniaturizzazione, parlandovi della tecnologia GAAFET, Gate-All-Around Field-Effect Transistor, una tecnica MIGFET (Multiple Independent Gate Field-Effect Transistor) simile al processo FinFET, in cui un MOSFET incorpora più di una porta (gate) in un singolo dispositivo: spesso si generalizza parlando di MuGFET, Multiple Gate Field-Effect Transistor.

Sia GAAFET che FinFET sono stati messi a punto per realizzare i transistor dei microprocessori e delle celle di memoria sempre più piccoli, disponendo i transistor non planarmente ma concettualmente in 3D (3D-transistor).

Samsung ha fornito qualche delucidazione in più in merito al suo approccio GAAFET per scendere sotto i 7nm, ovvero sorpassare il metodo FinFET.

Per arrivare alla produzione in volumi dei 3nm l’azienda ha sviluppato la tecnologia MBCFET, Multi Bridge Channel Field-Effect Transistor, in cui i transistor sono impilati uno sopra l’altro, aumentando la densità e riducendo del 45% lo spazio occupato dal silicio del transistor. Per Samsung si tradurrà in un risparmio del 50% dell’energia utilizzata, combinato con un aumento del 30% delle performance.

Un fattore determinante di successo sarà inoltre il fatto di poter adeguare questo design alle più diverse esigenze di progetto: da quello a bassa potenza a quello ultra performante. Un processo così modulare oltre che intrinsicamente vantaggioso non può che tramutarsi in un grande successo per Samsung. Ma come annunciato dalla stessa, vedremo i primi chip a 3nm MBCFET non prima del 2022.

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