L'annuncio non specifica l'esatta natura del dispositivo, ma indica che i design kit potranno aprire la strada a prodotti a 45 nm sviluppati dai partner IBM, Chartered, Infineon e Samsung. Ci sono ancora pochi dettagli disponibili, ma secondo Infineon ci sono "vari tipi di celle libreria standard ed elementi I/O con transistor differenti, nelle tensioni di soglia e nella quantità di metallo." L'azienda ha inoltre fornito "una speciale circuiteria per localizzare e rimuovere errori al complesso processo e aumentare l'esperienza sull'interazione dell'architettura dei prodotti."
La cooperazione tra le quattro aziende è un altro segno dell'elevato costo per la ricerca e lo sviluppo nel campo dei semiconduttori. Secondo il comunicato stampa distribuito da IBM, Chartered, Infineon e Samsung, lo sviluppo congiunto della tecnologia a 45 nm potrebbe "agevolare una transizione più veloce al nuovo processo". Il processo a 45 nm sviluppato dalle aziende sarà operativo nelle Fab a 300 mm di Chartered, IBM e Samsung alla fine del 2007. La produzione di massa inizierà nel 2008.
Intel è stata la prima a mostrare un dispositivo a 45 nm nel gennaio di quest'anno: Intel: ecco i primi chip a 45 nanometri
