IBM e TDK uniranno le forze nello sviluppo e nella ricerca incentrata sulle memorie MRAM (Magneto-resistive Random Access Memory), prodotti che grazie alle loro caratteristiche si preannunciano come seri candidati al dopo "flash".
Questo tipo di memorie flash non volatili si basano sul principio dell'immagazzinamento di dati con elementi magnetici installati su un substrato di silicio. I punti di forza delle memorie MRAM si racchiudono nella pressoché infinita quantità di cicli di scrittura (la flash si ferma tra i 100.000 e il milione di cicli) e velocità di accesso e scrittura incredibilmente alte.
Le due aziende hanno dichiarato che il loro lavoro sarà incentrato nello sviluppo di celle di memoria più piccole che permetteranno alla tecnologia di raggiungere densità di archiviazione maggiori. Queste memorie si candidano a essere utilizzate in dispositivi portatili, cellulari, automobili e applicazioni di controllo industriali.
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