Intel ha dichiarato di aver raggiunto un nuovo traguardo nello sviluppo di transistor più rapidi e che consumano meno, chiamati QWFET (Quantum Well Field Effect Transistor). L'obiettivo è stato raggiunto sostituendo il canale in silicio di un transistor con un composto di materiale semiconduttore come l'arseniuro di indio-gallo (InGaAs).
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Il cambiamento ha permesso di ridurre la dispersione della corrente di gate di 1000 volte rispetto a un gate Schottky, mentre lo spessore dell'ossido elettrico è stata ridotto del 33 percento, permettendo velocità di switching superiori in grado di migliorare le prestazioni del chip. Questa tecnologia non sarà implementata fino alla metà della prossima decade, perché c'è ancora molto lavoro da fare nello sviluppo delle varie tecniche produttive e d'integrazione.