Con la diffusione a macchia d'olio delle memorie a stato solido nei dispositivi odierni, le memorie 3D NAND hanno progressivamente accelerato il loro sviluppo, al fine di offrire moduli sempre più capienti e veloci. L'adozione dello stacking ha permesso di impilare in verticale le celle di memoria, aumentando sempre più la capacità per modulo. Quelli più moderni, realizzati dai colossi del settore come Kioxia, Micron, Samsung e SK Hynix, integrano celle fino a 200 strati, numero che è appena stato superato dalla cinese YMTC, la quale è riuscita a realizzare i primi moduli a 232 strati grazie a una nuova tecnologia di stacking.
L'azienda aveva già annunciato queste nuove memorie, denominate YMTC X3-9070, ad agosto di quest'anno, insieme alla nuova architettura Xtacking 3.0. Si tratta di un metodo proprietario che permette di impilare efficacemente un gran numero di celle. Con questo lancio, YMTC riesce ad anticipare vari concorrenti tra cui Micron, che aveva pronti gli stessi moduli, ma ha dovuto affrontare ritardi nella produzione. Si tratta di un traguardo notevole per un'azienda che si è inserita nel settore solo dal 2016.
Xtacking 3.0 fa uso della cosiddetta connessione back side source (BSSC), che permette di collegare del silicio aggiuntivo attraverso un processo più semplice, con conseguenti costi di produzione più bassi rispetto alla precedente tecnologia Xtacking 2.0. YMTC ha debuttato nel settore con la prima versione di Xtacking, che permetteva di impilare fino a 64 strati attraverso un collegamento wafer-to-wafer, mentre nel 2020 è stata in grado di proporre memorie 128 strati con Xtacking 2.0. I nuovi moduli troveranno sicuramente diversi clienti, tra produttori di smartphone, smart TV, portatili e SSD, che potranno beneficiare di costi di progettazione ridotti impiegando meno chip di memoria, grazie alla maggiore densità per modulo.
Le memorie 3D NAND continuano nel frattempo a svalutarsi, facendo scendere progressivamente il prezzo delle unità di archiviazione a stato solido: ve ne abbiamo parlato in questo articolo.
