Le memorie HBM3 raggiungono un bandwidth di 665 GB/s, ma si punta ancora più in alto

SK Hynix, che è attualmente al lavoro per lo sviluppo delle nuove memorie HBM3 (High Bandwidth Memory di terza generazione), sembra voglia raggiungere prestazioni da capogiro con la nuova generazione: se con le HBM2 si era riusciti a raggiungere una larghezza di banda di

480 GB/s, utilizzando uno stack da 1024 pin, con le HBM3 la società promette di raggiungere un bandwidth fino a 665 GB/s. Il data rate invece passerebbe dai 3,6 Gbps della generazione precedente ai

5,2 Gbps, garantendo dunque un aumento netto del 44%.

La cosa impressionante è che questi valori potrebbero anche rappresentare solamente la fase iniziale dello sviluppo delle memorie di nuova generazione: l'aspettativa è che le HBM3 riescano a raggiungere data rate fino a 7,2 Gbps, ovviamente intesi per singolo stack. Ciò significherebbe che quattro stack del genere (operanti su un bus da 4096-bit) garantirebbero al processore una larghezza di banda superiore ai 3 TB/s.

Tali performance sono raggiungibili anche grazie alla tecnologia di interconnessione DBI Ultra 2,5D/3D brevettata dalla stessa SK Hynix, pensata appositamente per memorie ad elevata larghezza di banda. Questa tecnologia permette di ottenere tra 100,000 e 1,000,000 di interconnessioni per millimetro quadro (per farci un'idea su quanto sia rivoluzionaria questa innovazione, le tecnologie precedenti garantivano solamente 625 interconnessioni per millimetro quadro). Ciò consente di aumentare ulteriormente la densità di memoria, poiché rende possibile assemblare i chip a 16 strati piuttosto che a 8.

Non sappiamo ancora nulla sull'eventuale data di rilascio, ma nonostante gli esperimenti di AMD con Vega 56, Vega 64 e Radeon VII riteniamo comunque poco probabile che le memorie HBM3 arrivino anche nel mercato consumer, considerando che le applicazioni principali hanno sempre riguardato il mercato professionale e soprattutto i datacenter.