Micron ha intenzione di produrre memoria DRAM con processo a 16 nanometri. L'obiettivo dell'azienda è infastidire il padre-padrone del settore, la sudcoreana Samsung, che produce chip a 20 nanometri dal marzo 2014 e fa il bello e cattivo tempo, controllando un'ampia fetta del mercato e di conseguenza i prezzi, a danno di chi deve inseguire.
Micron attualmente produce memoria con i processi a 25 e 30 nanometri. Mark Adams, presidente dell'azienda, è tuttavia ottimista. "Attualmente stiamo consegnando la prima DRAM a 20 nanometri e continueremo ad aumentare le consegne nella parte restante dell'anno. Ci aspettiamo un passo avanti nella prima metà del 2016".
"Ci aspettiamo di colmare il divario con Samsung nel passaggio ai 16 nm, sia nei tempi che in termini di densità globalmente installata sul mercato", ha aggiunto Mark Durcan, amministratore delegato dell'azienda statunitense.
Il processo produttivo a 16 nanometri per la DRAM dovrebbe rappresentare il primo frutto dello sviluppo congiunto di Micron con Elpida, azienda nipponica acquisita nel 2012. "Il nodo 1xnm sarà la prima tecnologia a essere partorita dal lavoro fianco a fianco di questi team", ha confermato il CEO.
La produzione pilota è partita all'inizio di quest'anno nello stabilimento di Hiroshima, Giappone. Non è ancora chiaro tuttavia quando sarà avviata quella in volumi. Malgrado i piani aggressivi, per Micron si prospetta una dura battaglia - conquistare quote di mercato non sarà facile.
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Samsung produce il 50% di DRAM in più di Micron e ha capacità produttive maggiori, senza contare che probabilmente l'azienda sudcoreana sta già lavorando da tempo su nuovi processi di produzione ancora più avanzati.