Micron, presto 3D NAND a 128 layer basate su una nuova architettura
Micron ha eseguito il tape out dei nuovi chip 3D NAND a 128 layer basati sulla nuova architettura RG (Replacement Gate).
Il tape out conferma che la produzione dei nuovi chip partirà già dal 2020, anche se Micron si è affrettata a sottolineare che la nuova memoria sarà inizialmente usata solo in determinati settori e perciò non ci saranno riduzioni di prezzo rilevanti per i propri chip 3D NAND.
La nuova memoria di Micron rappresenta la quarta generazione di 3D NAND e continua a usare un approccio di design “CMOS under the array”. Vi è però un passaggio dalla tecnologia floating gate a quella replacement gate che dovrebbe ridurre la dimensione del die e i costi, migliorando le prestazioni e favorendo la transizione ai futuri processi produttivi.
La nuova architettura, a differenza delle precedenti che sono state sviluppate in collaborazione con Intel, è stata creata del tutto internamente, e questo vuol dire che verrà adottata solo nelle applicazioni di maggior interesse per Micron – probabilmente quelle con un margine maggiore, come il settore mobile e altri ambiti consumer.
“Abbiamo realizzato i primi die con tecnologia RG. Questa pietra miliare riduce ulteriormente i rischi legati alla transizione verso la nuova tecnologia. Il nostro primo progetto RG sarà a 128 layer e verrà usato su un numero selezionato di prodotti”, ha affermato Sanjay Mehrotra, CEO e presidente di Micron.
“Non ci aspettiamo che la tecnologia RG apporti importanti riduzioni dei costi fino all’anno fiscale 2021, cioè quando la seconda generazione della tecnologia RG sarà largamente implementata. Di conseguenza prevediamo riduzioni minime dei costi per l’anno 2020”, ha aggiunto l’AD.
Micron al momento si sta concentrando nell’aumentare la produzione di memorie a 96 layer, il che significa che il costo per bit della memoria non cambierà, almeno non in modo significativo, per gran parte del 2020.
