La società NEO Semiconductor di San Jose ha annunciato 3D X-DRAM, una nuova tecnologia (brevettata) che punta a risolvere tutti i problemi legati alla capacità di memoria. Come? Sfruttando una tecnologia simile a quella 3D NAND che viene usata negli SSD, per arrivare ad avere chip da 1Tb entro il 2030.
Avere a disposizione chip da 1Tb significa poter creare moduli RAM da 2TB, o anche da 4TB in caso di soluzioni con chip da entrambi i lati. Si tratta ovviamente di capacità inutili per la stragrande maggioranza (per non dire la totalità) degli utenti consumer, ma che possono essere rivoluzionarie in altri ambiti, come server e datacenter. Attualmente, i moduli DDR4 non vanno oltre i 128GB (32 chip da 32Gb), mentre quelli di DDR5 arrivano a 64GB per DIMM (32 chip da 16Gb), anche i produttori sono già al lavoro su moduli con capacità superiori che arriveranno presto sul mercato.
3D X-DRAM sfrutta quello che NEO Semicondutor definisce “la prima matrice di celle DRAM simile alla 3D NAND”, che sembra essere basata sulla tecnologia Floating Body Cell e che garantirebbe “alte velocità, alta densità, costi contenuti e una resa produttiva elevata”.
L’azienda afferma poi che “con 3D X-DRAM si può arrivare a una densità di 128Gb in 230 strati, pari a otto volte quella attuale”. Un altro plus interessante è il fatto che i chip possono essere prodotti con le tecnologie attuali.
Per fare un paragone, attualmente i chip Samsung con maggior densità raggiungono i 16Gb, anche se a breve dovrebbero debuttare i chip 32Gb che, grazie allo stacking dei chip, permetterebbero di creare moduli RAM da 1TB tra la fine del 2023 e l’inizio del 2024, molto prima di quanto riuscirebbe a fare NEO Semiconductor (senza contare che lo stacking di chip dovrebbe permettere di raggiungere capacità ancora maggiori).
