Processori Samsung a 10 nanometri, la produzione è partita
Samsung ha iniziato a produrre SoC (system on chip) con processo produttivo a 10 nanometri FinFET. Si tratta di "mass production", ossia produzione ad alti volumi, segno che le fasi di test precedenti hanno dato gli esiti attesi.
Il processo a 10 nanometri FinFET di Samsung, nome in codice 10LPE, adotta transistor con struttura 3D e alcuni miglioramenti tanto nella progettazione quanto nella produzione rispetto ai 14 nanometri. Samsung cita per esempio la litografia triple-patterning e afferma che la nuova tecnologia "permette un incremento nell'efficienza d'uso dell'area fino al 30%, insieme a prestazioni il 27% maggiori o consumi il 40% più contenuti".
Nella seconda metà 2017 Samsung passerà alla seconda generazione del processo a 10 nanometri FinFET, nome in codice 10LPP, che migliorerà le prestazioni rispetto al 10LPE.
L'obiettivo del colosso sudcoreano è creare più declinazioni per rispettare differenti necessità dei singoli mercati. Produrre una GPU, un componente costituito da diversi miliardi di transistor, è ben diverso che realizzare un chip per un router, per quanto evoluto esso sia.
"I SoC a 10 nanometri saranno usati nei dispositivi al debutto all'inizio del prossimo anno e ci attendiamo diventeranno più disponibili nel corso del 2017", sottolinea l'azienda sudcoreana.
Oltre a realizzare chip a 10 nanometri per i propri terminali di fascia alta – aspettiamoci un chip a 10 nanometri nel Galaxy S8 – Samsung metterà a disposizione questo processo ai propri clienti, a partire per esempio da Qualcomm, attesa secondo indiscrezioni alla presentazione dello Snapdragon 830.
L'azienda asiatica non sarà la sola a produrre a 10 nanometri FinFET, infatti anche la fonderia taiwanese TSMC seguirà questa strada virando rapidamente verso i 7 nanometri. Globalfoundries, partner di Samsung, ha invece deciso di concentrarsi sui 7 nanometri perché ritiene che i 10 nanometri non siano così vantaggiosi in termini prestazionali.
Intel, dal canto suo, dovrebbe passare ai 10 nanometri tra fine 2017 e inizio 2018 con una serie di CPU note con il nome in codice Cannonlake. È bene sapere che malgrado si parli di 10 nanometri in termini generali, i singoli produttori sviluppano processi ben differenti tra loro, la cui efficacia andrà stabilita sul campo e nelle analisi tecniche. Si vocifera ad esempio che Intel con i 10 nanometri riuscirà a offrire una densità di transistor decisamente superiore alle soluzioni concorrenti, con chiari vantaggi in termini di prestazioni e consumi.
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