Prodotti usati per il confronto
- ADATA SP550 240GB
- OCZ Trion 100 240 GB
- Plextor M6V 256 GB
- Samsung 850 EVO 250 GB
- SanDisk Ultra II 240 GB
Quasi tutti i prodotti nei nostri grafici di confronto usano NAND TLC con meccanismi di miglioramento delle scritture per fornire velocità che non sono sostenibili per più di pochi secondi.
L'SSD 850 EVO di Samsung è l'attuale leader prestazionale nella fascia media. La sua memoria TLC quad-plane garantisce velocità di scrittura più sostenute rispetto alle altre unità TLC con memoria di Toshiba e Micron. Il Plextor M6V è un modello più recente e usa lo stesso approccio del Reactor. È dotato dello stesso controller SMI SM2246EN, ma lo accoppia a memoria NAND MLC di Toshiba a 15 nanometri.
Prestazioni in lettura sequenziale
Quasi tutte le unità raggiungono il massimo delle prestazioni possibili con l'interfaccia SATA. Come sempre, è importante considerare la queue depth e osserviamo una maggiore variabilità prestazionale con le queue depth più basse con cui si ha a che fare quotidianamente.
Il Samsung 750 EVO da 250 GB supera l'850 EVO, anche se i risultati mostrano una leggera differenza tra i due prodotti. L'SSD 750 EVO da 120 GB perde parte delle prestazioni sequenziali in lettura a basse queue depth rispetto altri prodotti Samsung, ma questo è comportamento è nelle cose dato che ha metà dei die di memoria.
Prestazioni in scrittura sequenziale
L'algoritmo TurboWrite di Samsung si comporta bene nei nostri test, anche se non abbiamo lasciato sufficiente tempo al buffer per scaricarsi tra le sessioni. Molti prodotti concorrenti sono mostrati come onde, dato che faticano a scaricare il buffer dati SLC emulato verso la decisamente più lenta TLC.
La terza immagine illustra il netto calo sequenziale in base alla dimensione del blocco e alle scritture sequenziali sostenute. Gli SSD 750 EVO di Samsung mantengono scritture in eccesso di 200 MB/s. Fino a poco tempo fa, Samsung era l'unico produttore a raggiungere quel livello usando NAND TLC. Phison ha fatto progressi con il suo algoritmo, ma purtroppo non avevamo a disposizione un'unità Phison S10 a bassa capacità da aggiungere ai nostri grafici.
L'SSD 750 EVO da 120 GB raggiunge le stesse prestazioni nello stadio buffer, ma le scritture scendono rapidamente a 140 MB/s dopo un carico prolungato. La velocità in scrittura nativa della TLC non è un problema fino a quando dovete inviare molti dati a un disco alla volta, come installare software e trasferire grandi album fotografici.
Prestazioni in lettura casuale
Il buffer SLC emulato opera per mantenere prestazioni casuali elevate. Anche se l'SSD 750 EVO dovrebbe essere un prodotto di fascia molto bassa, fornisce ancora una volta risultati in lettura casuale ammirevoli, cosa importante perché la maggior parte delle vostre transazioni di dati avvengono sotto forma di letture e scritture di piccoli blocchi. Il compromesso è un calo della durata che potrebbe diventare un problema più avanti nella vita del prodotto.
Prestazioni in scrittura casuale
Gli SSD 750 EVO e 850 EVO sono su due livelli diversi per quanto riguarda le prestazioni in scrittura. Con piccoli blocchi di dati scritti in modo casuale il gap tra le due famiglie cresce più di quanto visto nei nostri test sequenziali. Con basse queue depth i due SSD sembrano abbastanza simili a qualsiasi livello di capacità ma con l'aumentare della queue depth l'850 EVO ha un netto vantaggio. L'SSD 750 EVO da 250 GB risponde al nostro carico di lavoro in scrittura casuale in modo migliore rispetto agli altri SSD "non Samsung" testati.