Samsung ha dichiarato di aver iniziato la produzione dei primi sample di DDR3 a 50 nanometri, un processo produttivo che dovrebbe permettere di realizzare soluzioni più efficienti sotto il punto di vista energetico, e in grado di arrivare fino a 16 GB di capacità.
Samsung ha realizzato i primi campioni a 50 nm di DDR3 da 2 Gb, in grado di offrire il doppio della densità rispetto ai chip da 1 Gb e di richiedere meno energia rispetto ai suoi predecessori. L'azienda coreana ha affermato di aver guadagnato il 60% in produttività.
La miniaturizzazione delle memorie "permetterà configurazioni fino a 8 GB per le RIMM (registered in-line memory modules), così come SODIMM da 4 GB. Inoltre, usando un package dual-die, la densità sale a 16 GB per le applicazioni desktop e server", annuncia Samsung. Chiaramente è troppo presto per aspirare a realizzare soluzioni da 8 o 16 GB, perché il costo è ancora altamente proibitivo.
"I dispositivi di memoria da 2 Gb supportano velocità fino a 1.3 Gb/s a 1.5 o 1.35 volt. La produzione di massa dei chip da 2 Gb inizierà più avanti nel corso dell'anno".
