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Samsung pronta a realizzare DDR4 a 3200 MHz dopo il 2014

Samsung ha svelato la roadmap che porterà la DDR4 sul mercato, inizialmente nel settore server. L'azienda adesso sta realizzando i primi campioni a 2133 MHz, poi passerà ai 2400 MHz, ma punta ad arrivare sul mercato con soluzioni a 2666 MHz. In futuro si arriverà a 3200 MHz e forse oltre.

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Avatar di Manolo De Agostini

a cura di Manolo De Agostini

@Tom's Hardware Italia

Pubblicato il 13/09/2012 alle 06:49 - Aggiornato il 15/03/2015 alle 01:42
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Samsung ha mostrato moduli di memoria DDR4 e svelato la roadmap dei prossimi anni. In luglio l'azienda sudcoreana si era limitata ad annunciare di aver iniziato la produzione dei primi campioni di moduli DDR4 da 16 GB per server (RDIMM), mentre ora è pronta a condividere qualche dettaglio in più su uno standard di cui si parla da anni, ma che sarà completato solo più avanti nel corso dell'anno e che Intel inizierà a implementare nelle proprie piattaforme server nel 2014.

Il modulo mostrato nel corso dell'IDF di San Francisco è una soluzione da 16 GB PC4-17000 (2133MHz), basata su chip K4A46045QB. Secondo i colleghi di X-bit Labs la novità rispetto al campione annunciato in luglio è che il chip switch/buffer è prodotto da IDT (Integrated Device Technology) e non da Texas Instruments.

La roadmap per il futuro è però quella che interessa di più. Samsung sembra avere le idee chiare. L'azienda il prossimo anno intende portare la frequenza dei moduli DDR4 sperimentali a 2400 MHz, mentre i primi prodotti commerciali per server in arrivo nel 2014 opereranno a 2666 MHz. L'obiettivo è poi continuare a fare progressi fino a raggiungere una velocità di 3200 MHz. Nella roadmap c'è una freccia che prosegue, il che fa pensare che forse si potrebbe andare anche oltre.

Roadmap DDR4 - immagine: X-bit Labs

Per quanto riguarda l'alimentazione, si parla di 1,2 volt, con un calo dei consumi del 40 percento circa rispetto alle DDR3 a 1,35 volt. Oltre alla maggiore velocità e alla minore richiesta di energia, i moduli avranno anche nuove funzioni, di cui abbiamo già parlato l'anno passato. Ad esempio ci sarà un nuovo schema di terminazione tramite cui il bus DQ delle DDR4 sposta la terminazione sulla VDDQ, che rimarrà stabile anche in caso di calo della tensione VDD (la tensione fornita ai buffer di I/O) nel corso del tempo.

Le DDR4 portano con sé anche un sacrificio. Ogni canale di memoria supporterà solo un modulo. Per questo motivo avrà grande importanza in futuro la tecnologia through-silicon-via (TSV), che consentirà di "impilare" chip di memoria, favorendo l'incremento della capacità su singolo modulo. Sarà tuttavia possibile, almeno per quanto concerne l'ambito server dove è richiesta molta RAM, implementare speciali switch che consentiranno di aggirare la limitazione di un modulo per singolo canale. Non è chiaro se questa soluzione andrà a impattare sui consumi complessivi o su altri aspetti, ma non resta che attendere le prime implementazioni per scoprirlo.

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