Samsung ha annunciato di aver avviato la produzione di massa di un SSD PCI-Express da 3,2 terabyte basato su memoria 3D V-NAND (Vertical NAND) destinato a sistemi server enterprise di fascia alta. Si chiama SM1715, ed è una soluzione che risponde alla specifica NVM Express (NVMe), che finalmente ha standardizzato il modo in cui gli SSD PCI Express sono gestiti dal sistema. Il nuovo prodotto offre prestazioni in lettura sequenziale fino a 3000 MB/s, mentre in scrittura raggiunge un massimo di 2200 MB/s.
Per quanto concerne le prestazioni casuali l'SM1715 raggiunge un massimo di 750.000 IOPS in lettura e fino a 130.000 IOPS in scrittura. Samsung afferma che questo prodotto assicura un'affidabilità fino a 10 DWPD (drive writes per day, scritture complete al giorno) per cinque anni. La versione da 3,2 TB è affiancata anche da una soluzione da 1,6 TB e si aggiunge a una gamma di prodotti NVMe che include proposte da 2,5 pollici XS1715, caratterizzate da modelli da 800 GB e 1,6 TB.
La 3D V-NAND non è un'assoluta novità, infatti è usata persino in ambito consumer ad esempio nella gamma ad alte prestazioni 850 Pro. Si tratta di una memoria che si sviluppa in verticale anziché in modo planare. Questo, secondo il produttore, garantisce maggiori prestazioni e densità mantenendo al tempo stesso sotto controllo i consumi.
"Con la produzione di massa di questo nuovo SSD NVMe basato su V-NAND, che offre il massimo livello di prestazioni e densità oggi disponibile, contiamo di ampliare notevolmente il mercato degli SSD ad alta densità", ha affermato Jeeho Baek, vicepresidente della divisione Memory Marketing di Samsung Electronics. "Samsung ha intenzione d'introdurre SSD basati su memoria V-NAND con prestazioni, densità e affidabilità ancora maggiori in futuro, in modo da mantenere i propri clienti in vantaggio sulla concorrenza".