Samsung ha realizzato un SSD (Solid State Drive) da 512 GB basato su memoria flash "Toggle mode DDR NAND". Il prodotto è indirizzato ai PC desktop di fascia alta e ai notebook.
Il nuovo SSD ha un'interfaccia SATA 3 Gbps e integra chip NAND flash a 32 Gbit prodotti a 30 nanometri - Intel nel corso dell'anno promette di realizzare chip a 25 nanometri. Il disco supporta la codifica AES 256 bit, il comando TRIM e offre velocità in lettura e scrittura rispettivamente di 250 e 220 MB/s.
Per questa soluzione è stato sviluppato un controller ad hoc che permette di "raggiungere alte prestazioni senza incrementare il consumo rispetto agli SSD da 256 GB con memorie a 40 nanometri", ha affermato l'azienda.
"Il controller inoltre analizza la frequenza d'uso e le preferenze dell'utente per attivare automaticamente una modalità a basso consumo in grado di aumentare la durata della batteria del notebook di un'ora o più". Samsung ha intenzione d'iniziare la produzione in volumi degli SSD da 512 GB da luglio.