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SK Hynix si aggiunge al gruppo di aziende in grado di produrre memoria 3D NAND Flash, un tipo di memoria che si sviluppa in verticale e dovrebbe favorire un incremento della capacità, ma anche una riduzione dei consumi e dei costi. L'azienda sudcoreana ha iniziato a realizzare in volumi chip MLC a 36 strati con una densità di 128 gigabit, ideali per SSD e non solo.
Non è chiaro al momento quali clienti si avvarranno di questa memoria, ma pensiamo a tutto quell'insieme di piccoli produttori di SSD che non producono in proprio la memoria 3D NAND. L'azienda asiatica sta anche per finalizzare il progetto di una memoria 3D NAND di tipo TLC a 48 strati. La produzione in volumi dovrebbe iniziare nel 2016.
Le memorie 3D NAND sono state introdotte per la prima volta da Samsung Electronics due anni fa. Il gigante sudcoreano realizza soluzioni a 32 strati dette 3D Vertical NAND Flash (V-NAND) che in questi anni ha usato nel settore degli SSD, con le serie 850 Pro ed Evo a rappresentare il principale biglietto da visita.
 | Samsung 850 EVO da 500 GB |
Lo scorso marzo Micron e Intel hanno annunciato di essere della partita (anche grazie all'ingegno italiano) con soluzioni costituite da celle flash poste su 32 strati per ottenere un die MLC (Multi Level Cell) da 256 Gb e un die TLC (Triple Level Cell) da 384 Gb. Anche Sandisk e Toshiba hanno comunicato l'arrivo di una memoria 3D NAND, chiamata BiCS, formata da 48 strati di celle impilate.