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SK Hynix, ecco la memoria 4D NAND a 128 layer

SK Hynix ha avviato la produzione in volumi della 4D NAND a 128 layer e sta già lavorando su una soluzione a 176 layer.

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Avatar di Alessandro Bellia

a cura di Alessandro Bellia

@Tom's Hardware Italia

Pubblicato il 27/06/2019 alle 07:00
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SK Hynix ha annunciato di aver sviluppato e iniziato a produrre in volumi la prima 4D NAND TLC (Triple-Level Cell) a 128 layer con densità di 1 Tb (Terabit) dopo soli otto mesi dall'annuncio della 4D NAND a 96 layer.

Questo nuovo chip integra ben 360 miliardi di celle NAND per chip impilate in verticale, ciascuna delle quali è in grado di archiviare 3 bit di informazione. Nonostante in commercio esistano altri chip NAND da 1 Tb, SK Hynix è la prima a portare sul mercato un chip simile con tecnologia TLC, essendo quelli attualmente presenti di tipo QLC (4 bit per cella). Attualmente il mercato delle memorie NAND è catalizzato per oltre l'85% dalle soluzioni TLC.

sk-hynix-4d-nand-128-layer-39899.jpg

SK Hynix ha presentato la sua tecnologia NAND 4D nell'ottobre 2018, combinando il design 3D CTF (Charge Trap Flash) con la tecnologia PUC (Peri Under Cell). Avvalendosi della stessa piattaforma 4D e diverse ottimizzazioni, l'azienda è stata in grado di ridurre i passaggi di produzione del 5% aggiungendo allo stack altri 32 layer sui 96 già presenti. Di conseguenza i costi di questa transizione sono scesi del 60% rispetto alle migrazioni tecnologie precedenti, aumentando significativamente l'efficienza dell'investimento.

sk-hynix-4d-nand-128-layer-39898.jpg

La 4D NAND da 1 Tb e 128 layer aumenta inoltre la produttività per bit di ogni wafer del 40% rispetto alla NAND a 96 strati. SK Hynix avvierà le consegne dei suoi 128 layer dalla seconda metà di quest'anno, continuando a proporre le soluzioni già presenti sul mercato.

Grazie alla sua architettura a quattro piani in un unico chip, questo prodotto ha raggiunto una velocità di trasferimento dati di 1400 Mbps (Megabits/sec) operando a 1,2 Volt.

L’azienda conta inoltre di sviluppare la nuova generazione di soluzioni UFS 3.1 nella prima metà dell’anno prossimo per il mercato smartphone. Grazie alla NAND da 1Tb e 128 layer il numero di chip necessari per raggiungere 1 TB, ovvero la massima capacità disponibile sugli smartphone attualmente, si ridurrà della metà; allo stesso tempo SK Hynix assicura consumi in calo del 20% e spessore di 1 millimetro per dispositivi comunque compatti.

sk-hynix-4d-nand-128-layer-39897.jpg

Il produttore sudcoreano intende inoltre avviare la produzione in volumi di un SSD client da 2TB con controller e firmware sviluppati internamente nella prima metà del prossimo anno. Vedremo anche soluzioni da 16 e 32 TB per il settore cloud e i datacenter nel corso del 2020. Infine, SK Hynix fa sapere di essere già al lavoro per sviluppare chip 4D NAND a 176 layer.

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