Durante una recente presentazione, SK Hynix ha svelato la sua personale evoluzione nel campo della memoria NAND. Nel contesto del Flash Memory Summit 2023, tenutosi martedì sera, l'azienda ha presentato la memoria NAND TLC a 321 strati, gettando le basi per il futuro dell'archiviazione dati. Sebbene la produzione su larga scala sia prevista, solamente, per il 2025, SK Hynix ha voluto anticipare il futuro, dimostrando di essere già al lavoro sulla tecnologia di domani.
La memoria NAND TLC a 321 strati ha una capacità di 1 terabit (equivalente a 128 gigabyte) e un'architettura tridimensionale TLC. Ciò che cattura l'attenzione è il miglioramento sbalorditivo in termini di produttività: SK Hynix afferma chela sua nuova memoria NAND TLC a 321 strati offre un incremento del 59% rispetto a un dispositivo TLC 3D da 238 strati e 512 gigabit, offrendo un sostanziale aumento nella densità di archiviazione. Al momento, però, l'azienda non ha voluto diffondere alcun dettaglio sul processo di produzione o sui costi di questa nuova tecnologia.
Se il dispositivo NAND a 321 strati di capacità minima, presentato da SK Hynix, è in grado di immagazzinare 128 gigabyte di dati, ci si può aspettare che i dispositivi di fascia alta saranno in grado di supportare capacità ancora maggiori, aprendo la strada a SSD con capacità nettamente superiori rispetto a quelle attualmente disponibili.
Il segreto dietro i 321 strati attivi non è stato, ovviamente, svelato da SK Hynix. Sebbene sia probabile che l'azienda abbia utilizzato una tecnica di impilamento a stringhe, sovrapponendo uno, o più, dispositivi NAND 3D e collegandoli fra loro ma rimane la questione di quanti di questi dispositivi siano stati effettivamente sovrapposti.
Riguardo, invece, alle specifiche dell'interfaccia supportata da questa memoria NAND a 321 strati, SK Hynix ha preferito non condividere dettagli al momento. Questo potrebbe essere dovuto al fatto che la produzione in massa è prevista solo per la prima metà del 2025 e quindi è ancora presto per definire questa tipologia di dettagli tecnici.
Durante la presntazione, Jungdal Choi (responsabile dello sviluppo NAND presso SK Hynix) ha affermato: "Con un altro importante passo avanti per superare le limitazioni dello stacking, SK Hynix sta aprendo l'era delle NAND con oltre 300 strati, posizionandosi come leader del mercato. Grazie all'introduzione tempestiva delle NAND ad alte prestazioni, e capacità elevate, ci impegneremo a rispondere alle esigenze dell'era dell'IA e a continuare a guidare l'innovazione tecnologica."