SK hynix ha svelato la propria roadmap inerente alle DRAM durante l'SK AI Summit 2025, offrendo uno sguardo alle tecnologie di memoria che accompagneranno l'evoluzione dei sistemi di intelligenza artificiale e dei server nei prossimi sei anni. Sebbene il produttore sudcoreano non abbia rivelato specifiche tecniche approfondite, la timeline presentata evidenzia un panorama dominato dall'evoluzione incrementale delle memorie esistenti piuttosto che da rivoluzioni architetturali immediate. La presentazione, chiaramente orientata al mercato dell'AI enterprise, disegna un percorso dove DDR5, HBM e soluzioni LPDDR ibride convivranno in ecosistemi differenziati fino al 2031, mentre tecnologie più disruptive come l'HBF rimangono confinate oltre l'orizzonte del decennio.
La famiglia DDR5 continuerà a rappresentare il backbone delle soluzioni memoria mainstream almeno fino alla fine del decennio, con SK hynix che posticipa l'arrivo di DDR6 non prima del 2029-2030. Nel frattempo, l'evoluzione passerà attraverso fattori di forma avanzati come gli MRDIMM Gen2, attesi tra 2026 e 2027 con velocità di trasferimento dati fino a 12.800 MT/s, e i memory expander di seconda generazione basati su CXL, previsti per il 2027-2028. Questa strategia riflette la necessità di massimizzare il ROI su un'infrastruttura tecnologica ormai matura, dove le ottimizzazioni incrementali bilanciano costo, densità e prestazioni senza richiedere riprogettazioni radicali delle piattaforme server.
Sul fronte mobile-to-datacenter, le LPDDR6 emergono come soluzione ponte tra efficienza energetica e capacità elevate. SK hynix prevede l'introduzione di moduli SOCAMM2 basati su LPDDR6 nella seconda metà del decennio, probabilmente allineandosi al lancio delle CPU post-Vera di NVIDIA che richiederanno sottosistemi memoria completamente rinnovati. Particolarmente interessante l'annuncio di soluzioni LPDDR6-PIM (Processing-In-Module) per il 2028, che integreranno capacità computazionali direttamente nei moduli di memoria per applicazioni specializzate di edge AI e inferenza distribuita.
Per quanto riguarda la memoria grafica, le GDDR7 rimarranno confinate a ruoli di nicchia come acceleratori di inferenza – citati esplicitamente gli NVIDIA Rubin CPX – dove combinano performance elevate e costi contenuti rispetto alle HBM, pur sacrificando capacità. La roadmap menziona anche una misteriosa GDDR7-Next, probabilmente una nomenclatura interna per GDDR8, sebbene SK hynix storicamente non abbia sviluppato varianti proprietarie come le GDDR5X e GDDR6X di Micron per Nvidia, lasciando aperte speculazioni su eventuali collaborazioni future.
Il segmento premium è dominato dall'evoluzione delle High Bandwidth Memory, con SK hynix che pianifica rilasci cadenzati ogni 1,5-2 anni: HBM4, HBM4E, HBM5 e HBM5E attraverso il 2031. Tuttavia, la timeline suggerisce che HBM5 – presumibilmente destinata all'architettura Feynman di Nvidia prevista per fine 2028 – potrebbe non materializzarsi prima del 2029 o addirittura 2030, sollevando interrogativi sulla sincronizzazione con le roadmap GPU dei partner. SK hynix offrirà anche varianti customizzate di HBM4E, HBM5 e HBM5E, sebbene restino da chiarire i margini di personalizzazione effettivi per questo tipo di componenti altamente standardizzati.
L'assente più significativo dalla roadmap a breve-medio termine è la High-Bandwidth Flash, tecnologia ibrida proposta inizialmente da Western Digital/SanDisk che promette prestazioni paragonabili alle HBM con capacità tipiche delle 3D NAND. SK hynix non prevede commercializzazione prima del 2030, citando la necessità di sviluppare nuovi media di storage e finalizzare specifiche condivise con altri produttori NAND. Questo ritardo evidenzia le complessità tecniche nel fondere le caratteristiche di latenza della DRAM con la persistenza e densità della flash, un obiettivo che richiede progressi sostanziali nella scienza dei materiali e nelle architetture di controllo.
