SZ985, il primo Z-SSD Samsung che sfida Intel Optane

Samsung ha annunciato ufficialmente SZ985, il suo primo Z-SSD. Questo prodotto di archiviazione si basa sulla Z-NAND (di prima generazione, la seconda generazione è stata annunciata ma è ancora lontana) di Samsung, un derivato ad altissime prestazioni della memoria 3D NAND pensato per competere con la memoria 3D XPoint di Intel e Micron. Lo SZ985 è un SSD NVMe destinato al comparto server, con applicazioni nel mondo dell'intelligenza artificiale e dei big data.

L'azienda sudcoreana ha parlato più volte e mostrato prototipi di questa soluzione. Se ne parla infatti da diversi anni, ma nello sviluppo dev'esserci stato qualche intoppo, in quanto sebbene oggi l'azienda presenti ufficialmente unità da 800 e 240 GB, i piani iniziali prevedevano un debutto entro il 2016 con soluzioni da 1 TB, seguite un anno più tardi da modelli da 2 e 4 TB.

Un po' come Intel, che non ha proprio detto tutto sul funzionamento di 3D XPoint, anche Samsung non ha fornito molte informazioni su questo primo Z-SSD. Forse lo farà in futuro.

A bordo, oltre alla Z-NAND, c'è anche un massimo di 1,5 GB di memoria DRAM LPDDR4, il che lascia intendere che l'unità potrebbe avere bisogno di una grande capacità per svolgere l'overprovisioning. Da non escludere però che la Z-NAND, gestita da un non meglio specificato controller ad alte prestazioni, richieda più di un gigabyte di DRAM per terabyte di NAND flash, come invece avviene sulla maggior parte degli SSD.

"Il nuovo Z-SSD a singola porta e quattro linee ha una Z-NAND che garantisce prestazioni di lettura delle celle superiori di 10 volte a quelle dei chip V-NAND da 3 bit", spiega Samsung, "e garantisce prestazioni in lettura casuale 1,7 volte più veloci, pari a 750.000 IOPS, e una latenza in scrittura inferiore di 5 volte (16 microsecondi) rispetto all'SSD PM963 NVMe, basato su memoria V-NAND TLC. Lo Z-SSD garantisce prestazioni in scrittura casuale fino a 170.000 IOPS".

Facendo un raffronto con Optane SSD DC P4800X, il concorrente per eccellenza, vediamo che le prestazioni in lettura casuale sono superiori (750K IOPS contro 550K IOPS), mentre le prestazioni in scrittura casuale di 170.000 IOPS sono decisamente inferiori alle 500.000 IOPS del prodotto Intel. Quest'ultimo offre inoltre una latenza di 10 microsecondi, mentre lo Z-SSD si ferma a 16 microsecondi.

Confronto delle specifiche a parte, sembra che con questa soluzione Samsung voglia attaccare Intel sul rapporto tra prezzo e prestazioni più che sulle performance pure, perciò in attesa di conoscere il listino, non è detto che vantare prestazioni sulla carta maggiori consenta necessariamente di conquistare fette di mercato. Intel, di certo, ha dalla sua la possibilità di spingere gli SSD insieme alle sue piattaforme, il che non è un vantaggio da poco.

Tornando all'SZ985, Samsung indica una resistenza pari a 30 scritture complete al giorno per cinque anni, al pari dell'SSD Optane. Il prodotto sarà mostrato e illustrato più approfonditamente all'International Solid-State Circuits Conference che si terrà tra l'11 e il 15 febbraio.