L'evoluzione del transistor secondo Intel
L'annuncio di Intel dà una scossa a tutto il settore. Vi siete mai chiesti però quante evoluzioni hanno riguardato il transistor a partire dalla sua creazione? Ripercorriamone la storia per tappe grazie a un riassunto offerto dall'azienda:
16 dicembre 1947: William Shockley, John Bardeen e Walter Brattain realizzano il primo transistor presso i Bell Labs.
1950: William Shockley sviluppa il transistor a giunzione bipolare, il dispositivo comunemente definito transistor in base all'attuale standard.
18 ottobre 1954: viene introdotta sul mercato la prima radio a transistor, Regency TR1, che contiene appena quattro transistor al germanio.
25 aprile 1961: Robert Noyce ottiene il primo brevetto per un circuito integrato. I transistor originali sono sufficienti per l'utilizzo in radio e telefoni, ma in nuovi componenti elettronici richiedono una soluzione di dimensioni ridotte, il circuito integrato.
1965: nasce la Legge di Moore, quando Gordon Moore predice che il numero di transistor in un chip sarebbe raddoppiato approssimativamente ogni anno nel futuro (dieci anni dopo, ha cambiato questa previsione in ogni 18 mesi), come dichiarato in un articolo pubblicato su Electronics Magazine. Tre anni più tardi, Moore e Bob Noyce fondano Intel, l'abbreviazione di "integrated electronics".
1969: Intel sviluppa il primo transistor con gate in silicio PMOS. Questi transistor continuano a essere basati sul tradizionale materiale dielettrico in biossido di silicio (SiO2), ma con nuovi elettrodi di gate in polisilicio.
1971: Intel introduce il primo microprocessore, il 4004, di dimensioni di 1/8" per 1/16", contenente 2250 transistor e basato sulla tecnologia PMOS a 10 micron di Intel con wafer di silicio da 2".
1985: viene rilasciato il microprocessore Intel 386, basato su 275 mila transistor, un numero oltre 100 volte più elevato rispetto all'originale 4004. Si tratta di un chip a 32 bit con funzionalità multitasking, ovvero la possibilità di eseguire più programmi alla volta. Inizialmente viene prodotto con la tecnologia CMOS a 1,5 micron.
13 agosto 2002: Intel annuncia diverse innovazioni della nuova tecnologia di processo a 90 nm, tra cui transistor dalle prestazioni più elevate e a consumo ridotto, silicio strained, interconnessioni in rame ad alta velocità e un nuovo materiale dielettrico a bassa costante k. Si tratta del primo processo in cui il silicio strained viene implementato in produzione.
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29 gennaio 2007: Intel annuncia materiali rivoluzionari per i transistor (gate metallici ad alta costante k) che verranno utilizzati per creare la parete isolante e il gate di commutazione sulle centinaia di milioni di microscopici transistor a 45 nm contenuti nelle famiglie di processori multi-core Intel Core 2 Duo, Intel Core 2 Quad e Xeon, nome in codice Penryn, di nuova generazione.
3 maggio 2011: Intel annuncia l'imminente entrata in produzione in grandi quantità di una tecnologia di progettazione dei transistor radicalmente nuova. A detta dell'azienda, il transistor tri-gate è destinato a offrire una combinazione senza precedenti di prestazioni ed efficienza energetica nell'intera gamma di computer, dai server ai PC desktop e dai notebook ai dispositivi mobili.
