Toshiba ha annunciato di aver fatto un grande passo in avanti nello sviluppo dei transistor a nanotubi. Queste soluzioni sono le principali candidate per realizzare strutture di transistor 3D con processo produttivo a 16 nanometri e inferiore.
L'azienda ha raggiunto un valore di corrente 1mA/?m, il livello più alto per un transistor a nano tubi, riducendo la resistenza parassita e migliorando il valore di corrente del 75%. Questo nuovo traguardo avvicina ulteriormente i transistor a nanotubi a un'applicazione pratica.
Struttura
Quando la dimensione degli attuali transistor planari viene ridotta, la dispersione di corrente tra source e drain in stato off diventa critica per assicurare la stabilità di un circuito. Per superare questo problema possono venire in soccorso i transistor con una struttura 3D, inclusi i transistor a nanotubi al silicio. Questo tipo di soluzioni possono eliminare la dispersione in stato off ed eseguire ulteriori operazioni short-channel, in quanto il canale a nanotubi è effettivamente controllato dal gate. Tuttavia la resistenza parassita tra source e drain, specialmente nella regione sottostante il "gate sidewall", riduce la corrente in stato on.
Confronto tra la vecchia e la nuova struttura
Toshiba ha superato questo problema ottimizzando la fabbricazione del gate e riducendo significativamente lo spessore del sidewall gate, passando da 30 a 10 nanometri.