TSMC e Samsung, problemi con il nodo di produzione a 3nm?

Stando ad un articolo di DigiTimes, sembra che sia TSMC che Samsung abbiano riscontrato alcuni problemi con i loro nodi di produzione a 3nm.

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a cura di Antonello Buzzi

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Stando ad un articolo pubblicato da DigiTimes, successivamente ripreso da Overlock3D, sembra che sia TSMC che Samsung abbiano riscontrato alcuni problemi e ritardi nella realizzazione delle rispettive tecnologie di produzione a 3nm. Questo potrebbe portare il nodo a 5nm ad essere più longevo del previsto, oltre a dare la possibilità ad Intel di recuperare terreno. Già l’attuale processo a 10nm di Intel è più o meno equivalente ai 7nm di TSMC in termini di scalabilità dei transistor, mentre, come già saprete, il suo nodo a 7nm ha subìto anch’esso qualche ritardo.

La realizzazione di transistor sempre più piccoli sta diventando un processo sempre più difficile e costoso ed attualmente sono solo tre i giganti del settore che possono permettersi di sviluppare e produrre chip su nodi all’avanguardia. Qualche settimana fa vi abbiamo riferito che TSMC potrebbe essere in procinto di eliminare gli sconti sui grossi volumi ai suoi maggiori clienti e, allo stesso tempo, aumentare i prezzi in seguito alle eccessive richieste ricevute per i suoi servizi. Secondo quanto riferito, altri produttori di semiconduttori hanno fatto lo stesso negli ultimi mesi.

Con l'aumento della domanda di personal computer, console da gioco, televisori, smartphone e altri dispositivi elettronici avanzati, è aumentata di conseguenza anche la domanda di tutti i tipi di chip. System On Chip all'avanguardia realizzati utilizzando tecnologie di produzione a 5nm e 7nm progettati per PC, console e telefoni sono accompagnati anche da un IC per la gestione dell'alimentazione, un chipset e/o un controller I/O che sono cruciali per il suo funzionamento e che sono realizzati utilizzando nodi maturi. Senza questi semiconduttori, è impossibile costruire prodotti reali, motivo per cui numerosi produttori di vari dispositivi si lamentano della carenza generale di componenti.

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