Hynix Semiconductor ha annunciato la disponibilità di chip DRAM GDDR4 da 512 Megabit, la produzione di massa avverrà dall'inizio del 2006. Le memorie per il comparto grafico GDDR4 sono capaci di processare un maggiore volume di immagini video rispetto all'attuale generazione, composta dalle GDDR3.
Hynix afferma che la quarta generazione di memorie grafiche GDDR migliorerà la velocità di processo dei dati di due volte rispetto alle attuali GDDR3. Le memorie Hynix 16Mx32 512Mb GDDR4 operano a 2.9Gbps e processano 11.6 Gigabyte di dati in un secondo.
L'azienda ha in programma l'introduzione DRAM GDDR4 con velocità di 14.4GB nella seconda metà del 2006.
Vi ricordiamo che anche Samsung ha già annunciato memorie GDDR4.
