Samsung ha iniziato la produzione con processo produttivo a 20 nanometri di memoria LPDDR2 da 4Gb (512MB) con frequenza di 1066 MHz. La miniaturizzazione ottenuta consentirà nel breve termine di dotare quasi tutti gli smartphone e tablet di 2 GB di RAM, trasformando quella che oggi è un'eccezione - finora rappresentata dall'Optimus LTE2 - in un vera e propria consuetudine. Sembra, tra l'altro, che in Giappone NTT Docomo sia pronta a offrire ai propri clienti un Galaxy S III con dual-core e proprio 2 GB di RAM.
Samsung è infatti in grado di impilare quattro LPDDR2 da 4 Gbit in un singolo package, offrendo così una soluzione da 2 GB multi-layer con un'altezza di 0,8 millimetri. Il nuovo package è approssimativamente il 20% più sottile rispetto alla stessa soluzione realizzata con processo produttivo a 30 nanometri.
Grazie al nuovo processo produttivo i chip LPDDR2 assicurano anche un'efficienza energetica superiore e si prevede che rimpiazzeranno rapidamente i chip LPDDR2 a 30 nanometri. Secondo un'analisi di IHS iSuppli, la vendita di chip LPDDR2 da 4 Gb crescerà costantemente, arrivando al 13% del totale del mercato delle DRAM mobile entro la fine dell'anno, per poi passare al 49% e al 63% rispettivamente nel 2013 e nel 2014.
"Nella seconda metà di quest'anno ci aspettiamo un forte incremento della produzione di DRAM a 20 nanometri per rendere la gamma di soluzioni da 4 Gb un prodotto diffuso, così da mantenere la posizione di leadership e rafforzare il nostro vantaggio competitivo", ha dichiarato Wanhoon Hong, vicepresidente esecutivo vendite e marketing di Samsung Electronics.