Samsung Semiconductor ha rivelato una roadmap per la prossima generazione di memorie UFS (Universal Flash Storage), confermando i piani per il futuro della memoria della memoria per dispositivi mobili. Dopo l'introduzione dell'UFS 4.0, già utilizzato nei Galaxy S23 e S24, la società si prepara a portare la tecnologia al livello successivo.
La roadmap indica che Samsung prevede di rilasciare l'UFS 4.0 4-lane CS l'anno prossimo, aumentando la velocità da circa 4GB/s a 8GB/s. Poi, nel 2027 vedremo le memoria UFS 5.0, in grado di superare i 10GB/s di velocità.
Un miglioramento che difficilmente avrà un impatto visibile nella vita quotidiana, ma che potrebbe fare la differenza mano a mano che si diffondono le applicazioni IA con esecuzione locale. In questi casi, infatti, l’elaborazione prevede lo spostamento grandi quantità di dati, e una memoria più veloce potrebbe effettivamente fare la differenza tra l’avere una risposta dopo qualche secondo o dopo decine di secondi.
Sicuramente ciò poterebbe portare a differenze sostanziali tra gli smartphone top di gamma e tutti gli altri, e potrebbe succedere che solo i consumatori con il maggiore potere acquisitivo potranno permettersi l’accesso a nuovi strumenti, e di conseguenza a nuove opportunità di crescita personale e di profitto. Non sarà certo la memoria per smartphone che risolverà il problema delle disuguaglianze nel mondo, ma se non contribuisse a peggiorarlo sarebbe già una buona cosa.
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