Memoria UFS 2.0 per smartphone di fascia alta, ecco la soluzione di SK Hynix
SK Hynix ha sviluppato una propria versione della memoria UFS (Universal Flash Storage) 2.0. Basata su memoria NAND Flash a 16 nanometri, questa soluzione ha una capacità di 64 GB ed è basata su firmware e controller sviluppati dall'azienda sudcoreana.
UFS 2.0 è la tecnologia di memoria che si propone di sostituire la memoria eMMC negli smartphone top di gamma. Samsung, la prima ad annunciarne la produzione in volumi, la usa già all'interno degli smartphone Galaxy S6. La soluzione di SK Hynix offre prestazioni in lettura e scrittura sequenziale rispettivamente di 780 MB/s e 160 MB/s.
Le prestazioni in lettura e scrittura casuale sono di 32.000 e 17.000 IOPS, e come tale è tre volte più veloce in lettura di una eMMC 5.1. Il primo vantaggio di una memoria UFS su una eMMC è che possiede un'interfaccia seriale LVDS (Low-Voltage Differential Signaling) con un path di lettura e scrittura dedicato separato.
Ciò consente permette un'interazione a due vie (full duplex), ossia l'UFS può leggere e scrivere nello stesso momento. La eMMC, d'altro canto, ha un'interfaccia parallela che può inviare dati in una sola direzione alla volta – può leggere o scrivere, ma non nello stesso momento.
Il secondo vantaggio è che l'UFS ha una caratteristica chiamata Command Queue (CQ), che ordina i comandi che devono essere eseguiti. Così, possono essere indirizzati più comandi nello stesso momento e l'ordine delle operazioni può essere modificato di conseguenza.
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Samsung Galaxy S6 Edge |
La memoria eMMC senza CQ deve aspettare che un processo sia completato prima di passare al successivo. Questo è vero però solo per le eMMC fino alla versione 5.0, il recente aggiornamento della specifica alla versione 5.1 ha introdotto il CQ (Command Queue) anche in questo standard.
Stando alle previsioni di IHS Technology, la memoria UFS si diffonderà gradualmente sul mercato, ottenendo una quota del 4% quest'anno che crescerà al 23% nel 2017 e al 49% nel 2019.
