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Samsung ha annunciato la produzione in volumi della memoria Universal Flash Storage (UFS) 2.0 con capacità di 256 GB. Si tratta di una quantità di spazio sufficiente ad archiviare 47 film in Full HD. Esattamente un anno fa l'azienda aveva annunciato la produzione di chip da 128 GB.
Questa memoria è destinata alla prossima generazione di dispositivi mobile di fascia alta in quanto, grazie alle prestazioni molto elevate, consente di gestire filmati 4K Ultra HD e molto altro ancora. Si tratta anche di un chip di piccole dimensioni, inferiori a quelle di una scheda micro SD, e questo permette ai progettisti di avere flessibilità nella progettazione degli smartphone. Potrebbe essere usata in un ipotetico Galaxy Note 6, tradizionalmente presentato alla fine dell'estate.
Basata su memoria V-NAND e con un controller ad hoc, questa memoria può garantire prestazioni in lettura e scrittura casuale rispettivamente fino a 45.000 e 40.000 IOPS, più di due volte maggiori rispetto ai 19.000 e 14.000 IOPS garantiti della precedente generazione. La nuova memoria può raggiungere inoltre letture e scritture sequenziali rispettivamente fino a 850 e 260 MB/s.
Tutto questo è possibile grazie all'interfaccia seriale LVDS (Low-Voltage Differential Signaling) che offre un path di lettura e scrittura dedicato separato. "Questo permette un'interazione a due vie (full duplex), ossia l'UFS può leggere e scrivere nello stesso momento. La eMMC, d'altro canto, ha un'interfaccia parallela che può inviare dati in una sola direzione alla volta - può leggere o scrivere, ma non nello stesso momento", sottolinea l'azienda sudcoreana.
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