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TSMC, produzione in volumi a 5 nanometri a marzo 2020?

La taiwanese TSMC avrebbe intenzione di avviare la produzione in volumi con processo a 5 nanometri nel marzo del 2020. Apple in prima fila, ma anche AMD si frega le mani.

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Avatar di Manolo De Agostini

a cura di Manolo De Agostini

@Tom's Hardware Italia

Pubblicato il 24/09/2019 alle 14:00
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Secondo fonti industriali taiwanesi riportate dal Digitimes, TSMC potrebbe avviare la produzione in volumi di chip con processo produttivo a 5 nanometri nel marzo del 2020, a circa un anno di distanza dalla produzione dei primi chip sperimentali, in linea con la tabella di marcia.

TSMC sta attualmente realizzando diversi progetti con il processo produttivo a 7 nanometri, dai processori Ryzen 3000 alle GPU Navi di AMD, fino ad arrivare all’A13 Bionic dei nuovi iPhone di Apple. Stando a indiscrezioni la richiesta sarebbe così elevata che TSMC starebbe facendo fatica a tenere il passo, con tempi di consegna triplicati, e probabilmente il ritardo del Ryzen 9 3950X rappresenta una mezza conferma.

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Il processo produttivo a 5 nanometri potrebbe essere alla base delle CPU Ryzen ed EPYC (Genoa) di AMD basate sull’architettura Zen 4 attese nel 2021 (le soluzioni Zen 3 del 2020 saranno basate sui 7nm+, seconda generazione dei 7nm di TSMC). AMD sta comunque già progettando Zen 5. Apple potrebbe già adottarlo invece il prossimo anno per l’A14.

Per quanto concerne la prima generazione del processo produttivo a 5 nanometri (CLN5FF, N5), stando a quanto noto sinora vedremo un uso maggiore della litografia EUV, fino a 14 layer. Questo dovrebbe garantire miglioramenti tangibili in termini di densità di transistor, che sarà l’80% maggiore (circa il 45% di riduzione d’area) rispetto ai 7 nanometri di prima generazione.

Le frequenze potenziali, stando a quanto affermato sinora, saliranno invece solo del 15% (con la stessa complessità e consumo) oppure sarà possibile una riduzione del consumo del 20% (con la stessa frequenza e complessità).

Leggi anche TSMC: buoni progressi sul processo produttivo a 3 nanometri

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