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a cura di Manolo De Agostini

Western Digital ha annunciato di aver completato lo sviluppo della 3D NAND QLC di seconda generazione - la prima generazione è rappresentata dalla BiCS3 QLC a 64 layer.

Disponibile con il nome di BiCS4 e costituita da 96 layer, riesce a offrire una capacità di 1,33 terabit in un singolo chip stoccando quattro bit per cella.

La BiCS4 è stata sviluppata nell'impianto di Yokkaichi in Giappone, luogo simbolo della joint venture produttiva tra Western Digital e Toshiba Memory Corporation. Attualmente si è nella fase di sampling, mentre le consegne in volumi sono attese entro l'anno a partire dal settore consumer con i prodotti a marchio SanDisk.

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In un'altra nota stampa sullo stesso prodotto Toshiba Memory Corporation aggiunge che inizierà a fornire sample a produttori di SSD e controller all'inizio di settembre in vista della produzione in volumi nel 2019. "È possibile ottenere una capacità di 2,66 terabyte con un'architettura di 16 chip impilati in un singolo package".

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Maggiori informazioni e un prototipo saranno mostrati al Flash Memory Summit 2018 di Santa Clara, California, tra il 6 e il 9 agosto.


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