Di recente Samsung ha promesso GDDR6 con velocità fino a 18 Gbps e densità di 16 Gbit. Non si tratta però dell'unica soluzione in arrivo dal produttore sudcoreano, pronto a soddisfare le necessità dei produttori di schede video e di altri mercati, come quello delle reti.
Samsung produrrà anche GDDR6 con velocità di 12, 14 e 16 Gbps. Esisteranno anche due varianti, quella già citata da 16 Gbit (2 GB) destinata a schede video e acceleratori di fascia alta e quella da 8 Gbit (1 GB), indicata ai prodotti mainstream.
In base a tali caratteristiche, l'offerta del colosso asiatico potrebbe essere composta nel modo che vedete in tabella secondo Anandtech, che illustra anche cosa succederebbe ad accoppiare tali chip a schede con bus di 256 e 384 bit:
Samsung GDDR6 | |||||||||
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8 Gb (1 GB) | 16 Gb (2 GB) | ||||||||
Bandwidth per pin (Gb/s) | 12 | 14 | 16 | 18 | 12 | 14 | 16 | 18 | |
B/W per Chip/Stack (GB/s) | 48 | 56 | 64 | 72 | 48 | 56 | 64 | 72 | |
Capacità massima | 256-bit | 8 GB | 16 GB | ||||||
384-bit | 12 GB | 24 GB | |||||||
Bandwidth (GB/s) | 256-bit | 384 | 448 | 512 | 576 | 384 | 448 | 512 | 576 |
384-bit | 576 | 672 | 768 | 864 | 576 | 672 | 768 | 864 |
E se Micron realizzerà inizialmente chip GDDR6 a 12 e 14 Gbps, anche SK Hynix è come noto da tempo della partita. Sembra che l'azienda abbia in programma quattro versioni di chip GDDR6 da 8 Gbit con differenti velocità: il modello H56C8H24MJR-S2C sarà disponibile in varianti da 14 e 12 Gbps, mentre l'H56C8H24MJR-S0C raggiungerà velocità di 12 e 10 Gbps.
La differenza tra i chip S2C e S0C è il consumo, con i primi capaci di raggiungere velocità superiori ma con una tensione minore.