Hitachi Ultrastar SSD400S.B, SSD con memoria SLC a 25nm

Ultrastar SSD400S.B è il primo SSD con memoria SLC a 25 nanometri. Hitachi punta sul settore enterprise affidandosi alle NAND Flash di Intel e Micron. Disponibile in capacità di 100, 200 e 400 GB entro la prima metà di quest'anno.

Avatar di Manolo De Agostini

a cura di Manolo De Agostini

Hitachi ha presentato Ultrastar SSD400S.B, il primo SSD basato su memoria NAND Flash a 25 nanometri di tipo SLC (Single Level Cell) firmata IMFT. Si tratta di una soluzione dedicata al settore enterprise, differente della proposte basate su memoria MLC (Multi Level Cell) realizzate dagli altri produttori.

La prima differenza tra i due tipi di memoria è che quella SLC archivia un solo bit per cella, mentre quella MLC due. Per questo la memoria SLC ha un maggiore costo per gigabyte, ma dalla sua ha una velocità di scrittura superiore, consumi più bassi e una durata delle celle più alta. Per queste ragioni la memoria MLC rimane quella "popolare" e quella SLC invece è stata relegata a una nicchia.

L'Hitachi Ultrastar SSD400S.B si presenta in un fattore di forma da 2,5 pollici insolito, in quanto lo spessore dell'unità è di 15 millimetri, eccessivo ad esempio un portatile classico. Chiaramente il problema non si pone dato che è rivolto ai server. L'interfaccia è quella Serial Attached SCSI (SAS) 6 Gbps mentre sul controller non ci sono dettagli - potrebbe essere sviluppato in casa o da terze parti con firmware sviluppato da Hitachi.

Le letture sequenziali raggiungono i 536 MB/s, mentre le scritture toccano i 502 MB/s. Per quanto riguarda letture e scritture casuali, abbiamo rispettivamente dati di 57,500 IOPS e 25,500. Gli SSD Ultrastar SSD400S.B saranno disponibili in capacità di 100, 200 e 400 GB, anche con tecnologia opzionale self-encrypting drive (SED) per la codifica dei dati.

Il prezzo non è stato reso noto, mentre la distribuzione è già in corso presso alcuni OEM, mentre la disponibilità generale è attesa entro la prima metà di quest'anno. La garanzia è di cinque anni o in base ai petabyte scritti (a seconda della capacità).