Nel corso dell'International Solid-State Circuits Conference (ISSCC), Intel ha annunciato di essere pronta per la produzione in volumi di spin-transferable torque magnetoresistive RAM (STT-MRAM) di tipo embedded, ciò integrabile all'interno di chip e SoC. Per realizzare la memoria l'azienda si affida al processo produttivo 22FFL FinFET.
La STT-RAM, a causa della sua alta resistenza e grande capacità di ritenzione dei dati (10 anni a 200 °C), viene spesso citata come possibile candidato alla sostituzione della SRAM e delle tecnologie di memoria NAND flash. Secondo Ligiong Wei, ingegnere di Intel che ha presentato la tecnologia all'ISSCC, la MRAM di Intel ha raggiunto una resa (bit yield rate) di oltre il 99,9%, cosa possibile grazie a un progetto semplice, che lascia poco spazio a errori e difetti.
La tecnologia è inoltre promettente per quanto riguarda la resistenza alla scritture, superiore a 1E06 (1 milione) di cicli, e offre un read disturb error rate superiore a 1E12 (un trilione) di cicli. Si parla inoltre di una resistenza superiore a oltre 106 cicli di commutazione.
Per ora Intel sta realizzato chip STT-MRAM con una capacità di soli 7 Mbit, quindi al momento la tecnologia non può competere con le memorie NAND o 3D XPoint, ma può trovare applicazione in altri settori, tanto che alcuni analisti ritengono che l'azienda stia già usando la tecnologia embedded MRAM in prodotti attualmente in consegna ai clienti delle proprie fabbriche produttive.
La MRAM non è una tecnologia nuova, ma con l'avanzare dei processi produttivo ha iniziato a diventare più appetibile perché i produttori sono in grado di realizzare chip di memoria usabili ad alta densità abbastanza competitivi con altre tecnologie di memoria esistenti. Probabilmente ne sentiremo parlare sempre più spesso nel corso dei prossimi due anni. La MRAM e le tecnologie affini possono agire sia come memoria che come archiviazione e per questo rappresentano una soluzione molto quotata nell'industria.
La tecnologia, una volta che sarà davvero appetibile in ogni suo aspetto, offre l'opportunità di rivoluzionare il modo in cui funzionano i computer. Potrebbe essere di particolare aiuto nel mondo dell'intelligenza artificiale, con i neuroni artificiali che oltre a calcolare il dato potranno avere memoria di quello che hanno fatto con tale informazione.
Non c'è solo Intel a guardare alle MRAM, ma anche GlobalFoundries produce una ST-MRAM con il suo processo 22FDX (FD-SOI) dal 2017, anche se non è chiaro se i suoi clienti la stiano usando in prodotti già sul mercato. GlobalFoundries ha ottenuto la licenza sulla tecnologia da Everspin, un'azienda dell'Arizona. Secondo indiscrezioni, Intel ed Everspin avrebbero collaborato per mettere a punto la ST-MRAM, ma non ci sono state conferme o smentite in merito.
Nel corso della ISSCC, Intel ha inoltre illustrato lo sviluppo di chip di "resistive RAM" o ReRAM, come soluzione a basso costo di memoria non volatile da integrare nei SoC per il mondo IoT e per l'automotive. Anche in questo caso l'azienda produrrà a 22 nanometri FinFET e per questo ritiene che la sua soluzione sia la più densa e piccola dell'intero mercato.
