Kioxia annuncia lo sviluppo di SSD PCI Express 5.0 con form factor E3.S

Kioxia America, precedentemente conosciuta come Toshiba Memory America, ha annunciato lo sviluppo di nuovi SSD con interfaccia PCI Express 5.0 e form factor EDSFF E3.Short (E3.S).

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a cura di Antonello Buzzi

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Kioxia America, precedentemente conosciuta come Toshiba Memory America, ha comunicato di essere al lavoro su nuovi SSD destinati al mercato enterprise e dei data center. La compagnia crede fermamente che i form factor EDSFF E3.Short (E3.S) e E3.Long (E3.L) rappresentino il futuro in quest'ambito, in quanto permettono di supportare carichi maggiori rispetto al convenzionale formato da 2,5”. Infatti, i form factor che abbiamo menzionato poco fa supportano sino a 40W e sono pronti per sfruttare il livello di prestazioni offerto dalla prossima interfaccia PCI Express 5.0. Inoltre, le unità sono dotate di un miglior sistema per la dissipazione del calore per affrontare al meglio le temperature più elevate. Il formato E3.S contruibuirà alla progettazione ed allo sviluppo di sistemi di nuova generazione, come i server e sistemi AFA (All-Flash-Array), sia sui server cloud che aziendali.

Kioxia ha annunciato lo sviluppo di SSD E3.S che si collegano al sistema host tramite un connettore PCIe standard, proprio come i comuni SSD NVMe, schede grafiche o schede di rete, e misurano solo 104,9 x 76 x 3,5 mm. La compagnia non ha ancora comunicato il nome ufficiale del prodotto o diffuso alcun dato relativo alle prestazioni, ma dovrebbe avere la capacità di 3,84TB. «Saranno supportati anche ulteriori formati ed opzioni, inclusi E3.S thick (16,8mm) e E3.L thin» -  ha affermato Kioxia nel suo annuncio.

Stando al produttore, gli SSD E3.S potrebbero sfruttare fino ad otto linee PCIe 4.0 con un consumo di 28W ed utilizzano gli stessi componenti chiave dei recenti SSD PCIe 4.0 CM6 che l’azienda ha lanciato lo scorso febbraio. Tenendo in considerazione questo particolare, le unità E3.S dovrebbero essere equipaggiate con un controller Kioxia a 18 canali accompagnato dai suoi chip 3D TLC NAND a 96 strati.

La serie CM6 offre velocità sequenziali in lettura e scrittura rispettivamente di 6.200MB/s e 4.000MB/s. Per quanto riguarda le prestazioni in input/output si superano 1,4 milioni di letture IOPS e 350.000 scritture IOPS. Tuttavia, le unità CM6 sono limitate a quattro linee PCIe 4.0 ed i dispositivi E3.S dovrebbero, per questo motivo, offrire prestazioni migliori, in quanto potranno contare su otto linee PCIe 4.0.

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