Micron ha annunciato l'avvio della produzione di massa di memoria DDR3L-RS (in precedenza conosciuta come DDR3Lm) a 30 nanometri per dispositivi mobile sottili come gli ultrabook e i tablet. Due i chip disponibili fin da subito, da 2 e 4 Gigabit, cioè da 256 e 512 megabyte. Questo tipo di memorie sono pensate per garantire un'autonomia più elevata grazie a minori consumi in standby (RS = Reduced Standby), offrendo al tempo stesso prestazioni e costi simili al resto delle DRAM per PC.
"Questi dispositivi migliorano i consumi generali del sistema abbassando la richiesta energetica nello stadio di auto-aggiornamento (IDD6, self refresh)", ha dichiarato l'azienda. "Il feedback dai nostri clienti su questa nuova categoria di DRAM è stato estremamente positivo", ha affermato il vicepresidente della divisione marketing DRAM di Micron, Robert Feurle, sottolineando di aver ricevuto l'approvazione di Intel.
Oltre alle soluzioni da 2 e 4 Gb, Micron ha iniziato a realizzare i primi campioni di DDR3L-RS 8 Gb x 32 e sta già distribuendo i primi sample della variante 8 Gb x 16; la produzione è attesa per il mese di dicembre, mentre all'inizio del 2013 Micron svelerà le prime soluzioni DDR4-RS.
L'azienda statunitense non è l'unica a realizzare questo tipo di memoria. C'è infatti anche SK Hynix, che usa addirittura il processo produttivo a 20 nanometri (2, 4 e 8 Gb). E mentre Micron non parla di tensione operativa, l'azienda sudcoreana indica per i suoi sample 1,35 volt, oltre a una riduzione dei consumi in idle del 70% rispetto alle soluzioni tradizionali. L'azienda realizzerà SO-DIMM (Small Outline Dual Inline Memory Module) con 2, 4 e 8 GB di capacità.
