Le memorie NAND Flash 3D non sono imminenti ma nemmeno troppo lontane. Secondo quanto affermato da Keyvan Esfarjani, co-amministratore delegato di IM Flash Technologies, prima di vedere una memoria NAND Flash sviluppata in verticale anziché in orizzontale passeranno almeno due tecnologie produttive. In poche parole significa che si potrebbe iniziare a parlare "seriamente" di memorie 3D avvicinandoci ai 10 nanometri e approcciando ulteriori livelli di miniaturizzazione.
Parlando all'IMEC Technology Forum, Esfarjani ha lasciato intendere che la prima generazione di chip NAND 3D potrebbe iniziare a fare capolino insieme alle soluzioni 2D a 15 nanometri. Il dirigente ha anche aggiunto che realizzare chip composti da 16 strati logici non sarà sufficiente per avere un ritorno economico, ma bisognerà creare soluzioni da "64 layer o almeno 32".
Ci sarà però modo di affrontare "il problema" con calma, perché IMFT oltre alla produzione HKMG (high-K metal gate) sta valuando altre soluzioni, come l'aggiunta di film di nitruro e nanodot (nanopunti) - anche se in questo caso vi sono degli ostacoli. "Una cella funzionante non è abbastanza. Bisogna anche avere una durata elevata, pari a 10^5 cicli e oltre", ha specificato Esfarjani.
"La transizione al 3D non è limitata alla litografia", ma anche nella metrologia, nella ricerca di materiali in grado di sostenere temperature ben precise e di consentire l'incisione dei collegamenti in verticale. "Le NAND 3D ci porteranno oltre il limite dei 10 nanometri", ha concluso Esfarjani.