Micron ha annunciato una memoria NAND flash da 128 gigabit (16 gigabyte) prodotta con processo a 20 nanometri. Questa soluzione è in grado di archiviare tre bit d'informazione per cella, ed è quindi chiamata triple-level-cell (TLC).
Il nuovo chip di memoria TLC da 128 Gb (146 mm²) è oltre il 25% più piccolo rispetto a un'analoga soluzione di Micron di tipo MLC (multi-level-cell) prodotta a 20 nanometri. Queste caratteristiche permetteranno a tale memoria di trovare spazio nel mercato delle schede flash e le chiavette USB, settori dove servono capacità elevate e bassi costi.
Secondo Micron questa branca dell'industria rappresenterà nel 2013 il 35% dei gigabyte totali prodotti dalla memoria NAND nel 2013. Attualmente l'azienda statunitense sta realizzando dei sample, cioè dei campioni, da consegnare ad alcuni clienti selezionati, mentre la produzione di massa della NAND TLC da 128 Gb inizierà nel secondo trimestre.
Al momento Micron non cita la possibilità di usare questo nuovo chip all'interno di un SSD, ambito in cui ha già realizzato memoria NAND flash a 20 nanometri, seppur di tipo MLC. La ritroviamo a bordo della serie SSD 335 di Intel.
Vi sono però casi, come quello del Samsung 840 (non il modello Pro), in cui troviamo memoria TLC abbinata a questo tipo di dispositivi. Si tratta di una scelta per contenere i costi, a scapito della durata in scrittura, dato che generalmente questa memoria può sostenere meno cicli di programmazione e cancellazione rispetto a quella di tipo MLC.
Per un utente comune, tuttavia, questo aspetto dovrebbe rappresentare un falso problema, e così Samsung vi ha puntato, stupendo un po' tutti. Non resta quindi che attendere i prossimi mesi per capire se questa nuova memoria di Micron sarà scelta da qualche altro "coraggioso" protagonista del mercato SSD, magari da Crucial, che insieme a Lexar è uno dei marchi commerciali della casa statunitense.
