Alcuni ricercatori dell'Università di Stanford hanno scoperto che un nuovo materiale potrebbe rivoluzionare il mondo delle memorie RAM, permettendo di creare in futuro nuove soluzioni più efficienti e veloci di quelle attuali.
Gli studiosi hanno usato uno strato di lega metallica MnPd3, "manganese palladio tre", e usato un metodo di archiviazione chiamato SOT-MRAM (spin orbit torque magnetoresistive random access memory) che consente di immagazzinare i dati nelle direzioni degli spin degli elettroni. All'interno delle SOT-MRAM la corrente genera specifiche direzioni di rotazione (spin) degli elettroni che, se abbinate al loro movimento, crea un momento meccanico che può cambiare la direzione di rotazione e il momento di dipolo magnetico ad essa associato. In pratica, è possibile rappresentare gli 1 e gli 0 dei dati usando la direzione di rotazione di un elettrone e, usando il giusto materiale, registrare i dati in maniera abbastanza semplice.
La tecnologia SOT-MRAM non è una novità, ma permette di scrivere e leggere i dati in maniera più veloce rispetto alle tecnologie attuali. La ricerca dell'Università di Stanford mostra che i dati possono essere archiviati in maniera più densa quando le direzioni di rotazione sono orientate verso l'alto o verso il basso sull'asse Z, tuttavia "la maggior parte dei materiali generazione rotazioni solamente sull'asse Y, motivo per cui servirebbe un campo magnetico esterno per far sì che il cambio di rotazione avvenga sull'asse Z; questo richiederebbe più energia e più spazio" ha dichiarato Fen Xue, un ricercatore del laboratorio Wang.
Il manganese palladio tre ha la capacità di generare rotazioni in tutte le direzioni poiché la sua struttura interna non ha il tipo di simmetria che costringerebbe gli elettroni a ruotare in una specifica direzione; usando questo materiali i ricercatori sono riusciti a cambiare la direzione di spin senza l'uso di un campo magnetico esterno.
Ovviamente ci vorrà del tempo prima che queste tecnologie vengano impiegate nei dispositivi di uso comune, ma i ricercatori stanno già lavorando ad alcuni prototipi che integrano SOT-MRAM con MnPd3.