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Di recente il JEDEC ha aggiornato lo standard High Bandwidth Memory, scrivendo nella pietra le specifiche della seconda generazione di questa memoria, pensata per le schede video più prestanti ma non solo. A distanza di pochi giorni Samsung Electronics ha annunciato di aver avviato la produzione di massa di un package di High Memory Bandwidth 2 (HBM2) da 4 GB.
Samsung non solo rispetta le tempistiche trapelate in passato, ma si aggiunge a SK Hynix come produttore di memoria HBM, ampliando la scelta per i produttori di schede video e incrementando l'offerta. L'ovvia conseguenza, si spera, è che i prezzi si abbassino portando la nuova memoria su più schede video, cosa attualmente non possibile: anche per la prossima generazione di prodotti AMD e Nvidia la memoria HBM sarà confinata nella fascia alta.
Per realizzare l'HBM2 da 4 GB Samsung ha usato il processo produttivo a 20 nanometri. "Il package è stato creato impilando un die buffer sul fondo e quattro die core da 8 gigabit sopra. Questi sono stati poi interconnessi verticalmente attraverso fori TSV e microbumps. Un singolo die HBM2 da 8 gigabit contiene oltre 5000 fori TSV, oltre il 36% in più rispetto a un die DDR4 TSV da 8 gigabit", fa sapere Samsung.
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Il package HBM2 creato da Samsung figura un bandwidth di 256 GB/s, il doppio di un package HBM1. "Si tratta di un incremento di oltre sette volte rispetto al bandwidth di 36 GB/s di un chip GDDR5 da 4 gigabit", sottolinea l'azienda aggiungendo che la memoria HBM2, raddoppiando il bandwidth per watt, offre anche un'efficienza energetica maggiore.
La memoria non si fa inoltre mancare la funzionalità ECC (error-correcting code) per assicurare maggiore stabilità. Il package da 4 GB tuttavia è solo l'inizio: entro l'anno il colosso sudcoreano ha intenzione di produrre un package HBM2 da 8 GB.
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