Samsung Electronics ha annunciato di aver prodotto la prima DRAM DDR3 a 30 nanometri, con densità di 2 gigabit. L'uso del nuovo processo produttivo dovrebbe aumentare la produzione del 60% rispetto ai 40 nanometri, raddoppiando l'efficienza sui costi rispetto al processo produttivo a 50/60 nanometri.
Le nuove DRAM DDR3 a 30 nanometri di Samsung ridurranno i consumi fino al 30% rispetto ai 50 nanometri. La produzione in volumi dei chip dovrebbe prendere il via nella seconda metà di quest'anno.