Samsung Electronics ha completato lo sviluppo del primo chip di memoria DDR3 a 4 Gbit, reso possibile grazie al processo produttivo a 50 nanometri. Una densità così elevata permetterà la realizzazione di moduli di memoria ad alta capacità.
I chip lavorano con una tensione di alimentazione di 1,35 volt (inferiore a quella standard di 1.5 volt) e raggiungono una prestazione massima di 1,6 gigabit al secondo. L'azienda ha affermato che un modulo da 16 GB realizzato con i nuovi chip permetterà un risparmio energetico del 40% rispetto all'impiego di moduli dotati di chip da 2 Gbit.
I chip DDR3 da 4 Gbit serviranno per la produzione di moduli RDIMM da 16 GB per i server, così come DIMM da 8 GB per workstation, desktop e portatili. Samsung, infine, sarà in grado di realizzare moduli da 32 GB grazie alla tecnologia dual-die packaging.