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Risultati: scritture casuali 4 KB

La nuova gamma di prodotti Samsung SSD 840 EVO sostituisce l'attuale famiglia SSD 840 grazie a memoria TLC a 19 nanometri e diversi accorgimenti come la tecnologia Turbo Write.

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a cura di Tom's Hardware

Pubblicato il 22/08/2013 alle 08:00 - Aggiornato il 27/03/2015 alle 17:18
  • Samsung SSD 840 EVO da 120, 250, 500 e 1000 GB alla prova
  • Samsung SSD 840 EVO in dettaglio
  • All'interno del Samsung SSD 840 EVO
  • Configurazione di prova e benchmark
  • Risultati: letture sequenziali 128 KB
  • Risultati: scritture sequenziali 128 KB
  • Risultati: letture casuali 4 KB
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  • Risultati: Tom's Hardware Storage Bench v1.0
  • Risultati: Tom's Hardware Storage Bench, continua
  • Risultati: PCMark 7 e Vantage
  • Risultati: prestazioni copia file Robocopy
  • Consumi
  • RAPID, uno sguardo alla tecnologia in Magician
  • Samsung SSD 840 EVO: meglio degli SSD 840

Risultati: scritture casuali 4 KB

Scritture casuali 4 KB

L'impatto prestazionale inizia finalmente a farsi sentire quando osserviamo le scritture casuali 4 KB. L'SSD 840 EVO da 120 GB insegue il resto del gruppo, ed è in grado di raggiungere le 35.000 IOPS con una spinta da parte del Turbo Write.

Il modello da 250 GB tocca il massimo con quattro comandi. Non raggiunge tuttavia il target specificato, pari a circa 66.000 IOPS. Nemmeno i modelli da 500 e 1 TB riescono a raggiungere 90.000 IOPS, anche se la configurazione più capiente si avvicina con una queue depth di otto.

Le prestazioni in scrittura casuale sono senza dubbio estremamente importanti. I primi SSD non si comportavano bene, soffrendo anche con carichi non troppo pesanti. Le unità più recenti offrono più di 100 volte le prestazioni degli SSD del 2007.

Sarebbe semplice definire l'SSD 840 EVO da 120 GB come il "disadattato" della famiglia, ma è lento solamente rispetto alle altre soluzioni. In termini assoluti ha una reattività decisamente superiore a un hard disk meccanico.

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