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Risultati: Tom's Hardware Storage Bench, continua

La nuova gamma di prodotti Samsung SSD 840 EVO sostituisce l'attuale famiglia SSD 840 grazie a memoria TLC a 19 nanometri e diversi accorgimenti come la tecnologia Turbo Write.

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a cura di Tom's Hardware

Pubblicato il 22/08/2013 alle 08:00 - Aggiornato il 27/03/2015 alle 17:18
  • Samsung SSD 840 EVO da 120, 250, 500 e 1000 GB alla prova
  • Samsung SSD 840 EVO in dettaglio
  • All'interno del Samsung SSD 840 EVO
  • Configurazione di prova e benchmark
  • Risultati: letture sequenziali 128 KB
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  • Risultati: Tom's Hardware Storage Bench v1.0
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  • Consumi
  • RAPID, uno sguardo alla tecnologia in Magician
  • Samsung SSD 840 EVO: meglio degli SSD 840

Tempi di servizio e deviazione standard

Ci sono tante informazioni che possiamo raccogliere con Tom's Storage Bench oltre alla velocità media. I tempi medi di servizio mostrano che la reattività è simile alla media delle operazioni di I/O durante la traccia. Sarebbe difficile tracciare le 10 milioni di I/O che compongono il test, quindi è più sensato osservare il tempo medio per servire un'operazione di I/O. Possiamo anche osservare i tempi medi di servizio per letture e scritture. In questo modo, le scritture con una latenza migliore sono più vicine all'origine; i numeri più bassi sono migliori. Suddividere i tempi di servizio di letture e scritture ci aiuta a capire i punti di forza e debolezza dell'unità.

Il Samsung 840 EVO da 120 GB va così in difficoltà che per le scritture è fuori dal range visibile. Tutte le unità testate in questo articolo mostrano grandi tempi di servizio medi in lettura. Data la memoria NAND TLC, però, dobbiamo dare credito all'SSD 840 EVO di Samsung per aver tenuto testa alle soluzioni con memoria MLC.

L'840 Pro è davanti di un soffio al Vector di OCZ e l'SSD 840 EVO da 1 TB è solo un microsecondo dietro. I modelli da 250 e 500GB sono più dietro, invischiati tra l'840 Pro, l'SSD 335 di Intel e il Vertex 450. L'SSD 840 EVO da 120 GB è ancora più indietro, anche se è ancora davanti all'm4 da 256 GB e al Neutron GTX.

Questa traccia ha il doppio di letture di I/O rispetto alle scritture. Quest'ultime però sono responsabili del throughput maggiore. E anche se la memora NAND Flash TLC dovrebbe essere più lenta, la memoria NAND Toggle-mode e un controller più veloce riescono a mantenere l'SSD 840 EVO competitivo.

L'SSD 840 EVO da 120 GB emerge per la latenza elevata. Di media il modello base di Samsung si prende 2,14 ms per servire una richiesta, tre volte di più del Vector.

Due unità con controller Indilinx di OCZ sono prima e seconda, mentre l'Extreme II di SanDisk è terzo. Gli SSD 840 EVO più capienti sono a metà, non male per l'architettura Samsung e la natura basata pesantemente sulle scritture della nostra traccia. Anche se gli SSD 840 EVO non guidano il gruppo, siamo felici di vedere che le NAND TLC possono tenere il passo delle MLC.

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