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All'interno dell'X25-M SSD: 10-Channel Flash

Intel entra nel mercato dei dischi a stato solido con il modello X25-M. Abbiamo provato il modello da 80 GB, in attesa del disco ad alte prestazioni, X25-E. Abbiamo scoperto un SSD dalle prestazioni eccezionali, in particolare nella velocità in lettura e nelle prestazioni I/O. La tecnologia MLC, per la prima volta, fa meglio della SLC, grazie a cache, controller di memoria e tecnologia multi-channel. Sono in arrivo tempi duri, per i concorrenti.

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a cura di Tom's Hardware

Pubblicato il 22/09/2008 alle 16:21 - Aggiornato il 15/03/2015 alle 01:14
  • SSD Intel X25-M, pronto per un decollo verticale
  • I piani di Intel
  • Intel X25-M SSD: migliore per definizione?
  • All'interno dell'X25-M SSD: 10-Channel Flash
  • All'interno del controller dell'X25-M Controller: Wear Leveling, Write Amplification Control
  • Concorrenti: solo Samsung tiene il passo
  • Sitema di prova per i benchmark di basso livello
  • Prestazioni di trasferimento
  • Tempo d'accesso e prestazioni I/O
  • Prestazioni nelle applicazioni, PCMark
  • SYSmark 2007, prestazioni e consumi
  • Prestazioni per Watt: Workstation I/O
  • Mobilemark 2007, Low-Power Idle Power, DVD Playback
  • Conclusioni: Intel X25-M segna nuovi standard

All'interno dell'X25-M SSD: 10-Channel Flash

Come ha fatto Intel ha creare un disco SSD MLC più veloce di un prodotto SLC high-end? E come mai questi dischi hanno capacità di 80 o 160 GB, mentre gli altri modelli hanno tipicamente capacità di 32, 64 e 128 GB? La risposta è la multi-channel flash. Intel usa un proprio controller SATA/300 e indirizza dieci differenti canali di memoria flash MLC, usando una memoria cache di 16 MB. Integra anche la tecnologia NCQ (native command queuing) per distribuire le operazioni di lettura e scrittura sui canali disponibili in maniera efficiente. Guardando il circuito stampato, si può notare che nella parte inferiore è presente il controller e la memoria cache, assieme a cinque dei dieci canali di memoria (due chip ognuno). Il lato superiore ospita gli altri dieci chip.

La generazione corrente di memoria flash NAND prodotta a 50 nm immagazzina 32 Gbit (4 GB) per chip. Se usate 20 di questi chip (due per canale, quindi 10 canali), raggiungerete esattamente la capacità di 80 GB. Se distribuite i comandi di lettura e scrittura sui 10 canali, è ovvio che le prestazioni crescano enormemente. Siamo curiosi, inoltre, di vedere come Intel implementa 80 GB (o 160 GB più avanti), su un disco da 1.8", visto che si tratta di uno spazio troppo ristretto, a quanto ne sappiamo, per ospitare 20 chip flash, più il controller e la cache. Intel, probabilmente, dovrà lavorare con un numero minore di chip, con una maggior densità, ma per ora queste sono solo speculazioni. Le specifiche d di "fino a 250 MB in lettura e 70 MB in scrittura", lasciano intuire che non tutti i modelli raggiungeranno le stesse prestazioni.

Il chip DRAM da 16 MB montato è marchiato Samsung, ed è lo stesso presente in molti hard disk. Questo è il primo disco flash a implementare la tecnologia NCQ, soluzione che non sembra avere molto senso, visto che questo tipo di dischi permette un accesso diretto alla memoria. Il buffer DRAM, però, non è usato per migliorare le prestazioni o per servire l'NCQ, ma come supporto per il "Write Amplification Control", un tentativo di Intel di migliorare le prestazioni, incrementando la vita del disco.

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  • SYSmark 2007, prestazioni e consumi
  • Prestazioni per Watt: Workstation I/O
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