Durante il Flash Memory Summit 2020 dello scorso anno, il CEO di NEO Semiconductors, Andy Hsu, aveva annunciato una nuova tecnologia NAND in grado di fornire velocità migliorate, chiamata X-NAND. All’epoca si trattava solo di una presentazione ma, recentemente, l'azienda ha finalmente ottenuto l'approvazione e il brevetto dei suoi progetti. NEO Semiconductor è una società della Silicon Valley con sede a San Jose, fondata nel 2012. Ad oggi, la compagnia ha ottenuto più di 20 brevetti relativi alla memoria e ne ha altri in lavorazione.
La tecnologia X-NAND offre un nuovo approccio allo sviluppo delle memoria NAND, puntando a combinare le velocità delle NAND Single-Level Cell (SLC) con le capacità delle NAND Quad-Level Cell (QLC), il tutto nel più piccolo form factor possibile. X-NAND offre fondamentalmente il meglio di due mondi, fornendo memorie NAND di alta velocità e capacità.
Di seguito trovate un grafico che stima le presunte prestazioni di X-NAND, evidenziandone il potenziale. Per uno sguardo più approfondito ai vari aspetti del progetti, inclusa la densità e la durata, potete fare riferimento al whitepaper di sedici pagine scaricabile da qui. Ci troviamo in un'era che richiede dispositivi di archiviazione capienti e ad alta velocità e questa soluzione sembra essere la scelta perfetta per espandere la capacità e le prestazioni.
Neo non produce chip basati sulla tecnologia X-NAND, ma fornisce semplicemente ai produttori di memorie un modello per produrre le proprie soluzioni. NEO Semiconductor spera di concedere in licenza la sua IP X-NAND ad alcuni grandi aziende come Samsung, SK Hynix e Micron, le quali acquisterebbero l'IP e la incorporerebbero nelle loro offerte. Ciò comporterebbe una migliore adozione sul mercato di X-NAND, poiché i produttori di memorie hanno la capacità e i mezzi per spingere la nuova tecnologia nel mercato.
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