La Russia è al lavoro per sviluppare macchine per la litografia EUV (Extreme UltraViolet) proprie, in grado di competere con quelle prodotte dall'olandese ASML. Il progetto, guidato da Nikolay Chkhalo dell'Istituto di Fisica delle Microstrutture, mira a creare sistemi più economici e meno complessi rispetto agli standard attuali.
La novità principale risiede nell'utilizzo di laser a raggi X con lunghezza d'onda di 11,2 nanometri, anziché i 13,5 nm degli attuali sistemi ASML. Questa scelta promette un miglioramento del 20% nella risoluzione, consentendo di realizzare circuiti integrati più complessi. Tuttavia, comporta anche la necessità di sviluppare un intero ecosistema litografico compatibile con la nuova tecnologia.
Il sistema russo userà una sorgente laser basata sullo xeno, in contrasto con i sistemi ASML che impiegano lo stagno. Secondo Chkhalo, questa scelta permetterà di semplificare il design e ridurre i costi dei componenti ottici, oltre a diminuire la contaminazione degli stessi, aumentando la durata di parti critiche come collettori e pellicole protettive.
Le macchine russe avranno una potenza inferiore rispetto a quelle ASML, con una produttività circa 2,7 volte minore a causa dell'utilizzo di una sorgente luminosa da 3,6 kW. Tuttavia, questa performance è considerata sufficiente per produzioni su piccola scala.
L'adozione della lunghezza d'onda di 11,2 nm richiederà lo sviluppo di nuovi componenti ottici, maschere, resine fotosensibili e tecnologie di supporto ottimizzate. Ciò significa che gli strumenti basati su questa tecnologia non saranno direttamente compatibili con l'infrastruttura EUV esistente.
Il progetto russo prevede tre fasi di sviluppo: la prima riguarda la ricerca di base, l'identificazione delle tecnologie chiave e i test dei componenti iniziali. La seconda la creazione di un prototipo in grado di processare 60 wafer da 200 mm all'ora e l'integrazione nelle linee di produzione nazionali. Infine, la terza è la realizzazione di un sistema pronto per la produzione, capace di processare 60 wafer da 300 mm all'ora.
Non sono stati forniti dettagli sui tempi di completamento di queste fasi, né sulle specifiche tecnologie di processo che i nuovi strumenti litografici supporteranno.
Data la complessità del progetto e la necessità di sviluppare un ecosistema completamente nuovo, potrebbero essere necessari almeno dieci anni per la realizzazione di questi sistemi EUV. La sfida per la Russia sarà non solo tecnologica, ma anche economica e logistica, considerando l'attuale contesto geopolitico e le sanzioni internazionali.
